放大器电流镜负载的栅端长度该如何选择

camelcgh

如题，比方说是5V的管子，最小栅端为500nm或者600nm


我如果去做一个两级LDO，然后输出端有一个大的电容负载，这个时候我要把主极点放在输出端
假如说第一级就是一个简单的五管放大器，这时候要求第一级的输出阻抗小

①这个时候我需要把电流镜负载的栅长搞得尽可能的小，这样会有什么问题吗
再就是把偏置电流搞大点，也是有点作用的，但是这样成本较大，需要较大的提升功耗才有用

②另一个问题是脱离上述设计，加入把运放第一级的电流镜负载的栅长搞得太大，有什么可能的风险吗

③之前设计一个LDO的时候，整个环路的增益有40，50左右，输出3.3V，但是输出在不同负载下的输出变化很大，增益在大电阻负载下也有七八十，也就是负载调整率不好

这问题就来了，输出级是PMOS功率管，是一个增益级，但是在不同的负载在，这个增益级的增益变化就是非常大的，靠的就是第一级去保持住这个增益
这个时候，负载电阻小，主极点（输出端）及其靠右，就更需要把第一级的次级点右推了。
可是第一级就像上面说的，输出阻抗也不能太大，不然次极点跟主极点又太接近，也就是做不到右推
有没有什么好的方法吗，感觉指标之间全是冲突的设计