DDR中温度控制刷新模式（TCR)的实现原理

xf2016

由于篇幅限制，放在附件里

Normal模式下的动态降频​

步骤1：控制器持续发送REF命令（周期7.8μs）

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步骤2：DRAM温度传感器检测到温度=30℃（≤45℃）

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步骤3：DRAM内部刷新逻辑启用“命令跳过”机制

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步骤4：每2个外部REF命令仅触发1次内部刷新

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结果：实际刷新周期=15.6μs（功耗降低~40%）

切换至Extended模式（温度升至90℃）​​

步骤1：控制器重配MRS4[3:2]=11（切至Extended模式）

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步骤2：控制器tREFI切换至3.9μs（高频REF命令）

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步骤3：DRAM检测温度=90℃（85℃~95℃区间）

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步骤4：执行全部REF命令（周期3.9μs）

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结果：高温下数据保持时间缩至32ms，避免数据丢失

满嘴谗言

有用，特别适合超过85度下DDR修改自刷新时间的模式使用