mosfet耐压仿真？

ydj863 · 发表于 2025-6-3 18:59:38

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pdk是5v 工艺器件 mos管的 G S B 分别接上GND最低电位，D接VD电压源，VD参数设置1V步进，加到50V也才pA级的漏电。换了不同的工艺models也这样。问题出在哪里呢？明明是存5v 的工艺。

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TB电路

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dc参数设置

ydj863 · 发表于 2025-6-3 19:01:59

最大漏电只有300pA。明明是存5v的pdk

acrofoxAgain · 发表于 2025-6-4 13:48:22

因为model中没建击穿模型

ydj863 · 发表于 2025-6-14 13:50:56

acrofoxAgain 发表于 2025-6-4 13:48
因为model中没建击穿模型

谢谢！原来如此。

迷路大脸猫 · 发表于 2025-6-14 18:13:06

其实实际上，你给6V以上也能工作，只是会影响寿命，加速老化，厂商给的是保守值。

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