mosfet耐压仿真？

ydj863 · 发表于前天 18:59

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

pdk是5v 工艺器件 mos管的 G S B 分别接上GND最低电位，D接VD电压源，VD参数设置1V步进，加到50V也才pA级的漏电。换了不同的工艺models也这样。问题出在哪里呢？明明是存5v 的工艺。

登录/注册后可看大图

TB电路

登录/注册后可看大图

dc参数设置

ydj863 · 发表于前天 19:01

最大漏电只有300pA。明明是存5v的pdk

acrofoxAgain · 发表于昨天 13:48

因为model中没建击穿模型

[求助] mosfet耐压仿真？