关于BCD工艺的一些理解

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什么是BCD工艺？为什么要用BCD工艺？DMOS器件选型时应该怎么考虑？以下是我做完超声波芯片和电源管理芯片后的一些理解。

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工艺是一种将双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）和双扩散金属氧化物半导体（DMOS）集成在同片晶圆上的半导体制造技术。该工艺由意法半导体（ST）于1986年首次推出，通过融合三类器件的性能优势，突破了单一工艺的技术局限，成为功率芯片领域的关键技术。

‌Bipolar‌：采用双极型结构（NPN/PNP），适用于高速和高精度的模拟信号控制；
‌CMOS‌：提供低功耗、高密度的数字和模拟电路；
‌DMOS‌：支持高电压和大电流的芯片设计领域，比如电源管理、汽车电子等。

其中DMOS可分为LDMOS（Lateral double diffused mos）和VDMOS（Vertical double diffused mos），LDMOS因为更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。
LDMOS和DEMOS的区别：
DEMOS：drain端耐压；W和L可变；高Rdson；单独的bulk电位；正常的阈值电压；非开关的功率电路使用；常用于高压低电流。
LDMOS：drain端耐压；W可变L固定；低Rdson；source和bulk同电位；高阈值电压；功率开关应用较多；常用于高压大电流。

高电压指任何足以损坏栅氧化层的电压，它的使用是以牺牲硅片面积为代价。
大电流指任何显著增加导通损耗的电流，它的使用需要超厚的金属层来通流。

在使用耐压器件时一定要注意自身的寄生效应，往往对电路造成一些不良影响；同时耐压器件常接PAD，需要考虑到ESD测试时的问题。

‌综合优势‌
‌系统级优化‌：通过三维器件互联减少芯片面积，降低电磁干扰与功耗，提升整体可靠性。
‌设计灵活性‌：支持模块化开发，可根据应用场景灵活配置功能模块，例如在电源管理芯片中整合高精度模拟控制和功率输出单元。
‌工艺扩展性‌：兼容新型器件技术（如FinFET），适应先进制程节点的性能需求。