求大佬讲解一下n18_dnw_4t_ckt版图放置和布线的注意事项，有技巧讲解更好（求求了）

76043113

不乖

把环remove了，然后在摆好，最后由内道外 p-ring  n-ring p-ring，分别接器件衬底，电源，地，包DNW，

yfanny1980

初生牛犊

76043113

不乖 发表于 2025-5-12 11:16
把环remove了，然后在摆好，最后由内道外 p-ring  n-ring p-ring，分别接器件衬底，电源，地，包DNW， ...

大佬好，以下是我对于您回答的几个问题：
1、remove后再摆好：我的DNW之前已经根据DRC检查说的两个DNW间距不小于5um摆好了，是不是不能缩小了？

2、最后由内到外p-ring、n-ring、p-ring，分别接器件衬底，电源，地，包DNW， ...：我又学习了一下深N阱的版图，我是不是我可以不remove，把间距调好至不会报DRC错误，对于Nmos最后整体加一个p-ring也可以？

76043113

yfanny1980 发表于 2025-5-12 13:54
初生牛犊

深N阱这个是很难画还是验证容易报错吗？我队友已经用这个MOS做好了，但是块DDL了，来不及换了

终章0000

同一个管子吗？把这些都合并吧。Q 一下单个device,然后finger改大，你看看

76043113

终章0000 发表于 2025-5-12 15:48
同一个管子吗？把这些都合并吧。Q 一下单个device,然后finger改大，你看看

是比如我有10个multiplier，1个finger的话，把multiplier调成1，finger调成10的意思吗？这样会不会对我的前端有影响？

不乖

76043113 发表于 2025-5-12 15:42
大佬好，以下是我对于您回答的几个问题：
1、remove后再摆好：我的DNW之前已经根据DRC检查说的两个DNW间 ...

remove后面积减小啊，可以S D合并，然后整体包环，把dnw盖在N ring 上，满足drc

终章0000

76043113 发表于 2025-5-12 16:03
是比如我有10个multiplier，1个finger的话，把multiplier调成1，finger调成10的意思吗？这样会不会对我的 ...

正常来说没啥影响。你前端把m改成f 仿仿看。你这么搞面积太大了

76043113

不乖 发表于 2025-5-12 16:11
remove后面积减小啊，可以S D合并，然后整体包环，把dnw盖在N ring 上，满足drc
...

我在SD合并，并加上环后出现一个很奇怪的DRC错误