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[求助] smic18mmbcd工艺下耐压的问题

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发表于 2025-5-9 21:44:23 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本人模拟电路新手,在做一个定时器电路的时候,管子的耐压击穿问题困扰了我许久,周转许久选择了bcd工艺。
如上为耐压警告,以及出现耐压问题的部分管子所在部分的电路结构,
鄙人想请问一下,在电源电压超过5V的情况下,即使是bcd工艺的ldmos管,也不可让栅极电压过高,对吗?
如果是这样的话,应该如何变更电路架构以实现相同功能呢?希望能得到各位大佬的解答!
发表于 2025-5-10 10:15:48 | 显示全部楼层
vgs最高5V,超过了要用齐纳管钳位,vds可以根据管子耐压超过5V,电路架构找论文看
 楼主| 发表于 2025-5-12 18:31:16 | 显示全部楼层


灰之魔女 发表于 2025-5-10 10:15
vgs最高5V,超过了要用齐纳管钳位,vds可以根据管子耐压超过5V,电路架构找论文看 ...


好的,学习了,如果您有时间的话,还想请教一下一个有关工艺库的问题,请问是否有耐压更高的工艺库能提供厚栅管呀?这样就不用担心栅源击穿的问题了。

发表于 2025-5-12 22:02:36 | 显示全部楼层


jqjiksina 发表于 2025-5-12 18:31
好的,学习了,如果您有时间的话,还想请教一下一个有关工艺库的问题,请问是否有耐压更高的工艺库能提供 ...


刚参加工作的时候用过一个华润微的厚栅工艺,但是现在这条产线已经停产了,不知道现在还有没有代工厂做厚栅。
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