标准库没有filler，使用buffer填充是否可行

zhengluemeng

   正如标题所述的，库文件中提供了三种std cell，分别是low vth，high vth和OD25的std cell。low vth和high vth的std cell工作电压是1.2V，OD25的是2.5V。
   现在电压域为1.2V，low vth和high vth的std cell而没有filler，decap，或者spare cell。在进行PR时，怎么进行填充呢，可以使用buffer cell进行填充吗？使用buffer填充后，innovus的verify_drc并没有报错；抽出的网表中看到作为填充的buffer只有VDD和VSS pin，没有IN和OUT。

   请问这种方式是可行的吗？

八云紫

不可以，buff有逻辑，IN不接会漏电

zhengluemeng

八云紫 发表于 2025-5-8 13:07
不可以，buff有逻辑，IN不接会漏电

但是没有filler等怎么进行填充呢

quanqiutong

什么工艺没有filler？ 工艺不是tapless的吧，这种不需要插filler

zhengluemeng

quanqiutong 发表于 2025-5-8 15:00
什么工艺没有filler？ 工艺不是tapless的吧，这种不需要插filler

130nm工艺。是的，不是tapless工艺。这种工艺不需要Placement Density达到100%吗，这样N WELL不就分开不是一条一条的吗，这样会有影响吗？

八云紫

zhengluemeng 发表于 2025-5-8 15:12
130nm工艺。是的，不是tapless工艺。这种工艺不需要Placement Density达到100%吗，这样N WELL不就分开不 ...

实在没有自己做就好了

zhengluemeng

八云紫 发表于 2025-5-8 16:24
实在没有自己做就好了

请问这种怎么自己做呢

quanqiutong

zhengluemeng 发表于 2025-5-8 15:12
130nm工艺。是的，不是tapless工艺。这种工艺不需要Placement Density达到100%吗，这样N WELL不就分开不 ...

不是tapless工艺的不需要加filler

zhengluemeng

quanqiutong 发表于 2025-5-8 17:17
不是tapless工艺的不需要加filler

好的，感谢各位大佬