标准库没有filler，使用buffer填充是否可行

zhengluemeng · 发表于 2025-5-8 10:03:38

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正如标题所述的，库文件中提供了三种std cell，分别是low vth，high vth和OD25的std cell。low vth和high vth的std cell工作电压是1.2V，OD25的是2.5V。
现在电压域为1.2V，low vth和high vth的std cell而没有filler，decap，或者spare cell。在进行PR时，怎么进行填充呢，可以使用buffer cell进行填充吗？使用buffer填充后，innovus的verify_drc并没有报错；抽出的网表中看到作为填充的buffer只有VDD和VSS pin，没有IN和OUT。

请问这种方式是可行的吗？

八云紫 · 发表于 2025-5-8 13:07:54

不可以，buff有逻辑，IN不接会漏电

zhengluemeng · 发表于 2025-5-8 14:30:57

八云紫发表于 2025-5-8 13:07
不可以，buff有逻辑，IN不接会漏电

但是没有filler等怎么进行填充呢

quanqiutong · 发表于 2025-5-8 15:00:44

什么工艺没有filler？工艺不是tapless的吧，这种不需要插filler

zhengluemeng · 发表于 2025-5-8 15:12:35

quanqiutong 发表于 2025-5-8 15:00
什么工艺没有filler？工艺不是tapless的吧，这种不需要插filler

130nm工艺。是的，不是tapless工艺。这种工艺不需要Placement Density达到100%吗，这样N WELL不就分开不是一条一条的吗，这样会有影响吗？

八云紫 · 发表于 2025-5-8 16:24:53

zhengluemeng 发表于 2025-5-8 15:12
130nm工艺。是的，不是tapless工艺。这种工艺不需要Placement Density达到100%吗，这样N WELL不就分开不 ...

实在没有自己做就好了

zhengluemeng · 发表于 2025-5-8 16:26:17

八云紫发表于 2025-5-8 16:24
实在没有自己做就好了

请问这种怎么自己做呢

quanqiutong · 发表于 2025-5-8 17:17:20

zhengluemeng 发表于 2025-5-8 15:12
130nm工艺。是的，不是tapless工艺。这种工艺不需要Placement Density达到100%吗，这样N WELL不就分开不 ...

不是tapless工艺的不需要加filler

zhengluemeng · 发表于 2025-5-8 20:58:15

quanqiutong 发表于 2025-5-8 17:17
不是tapless工艺的不需要加filler

好的，感谢各位大佬

zhh124 · 发表于 2025-5-18 10:09:10

不加不报错，那就加dummy的时候再填呗

[求助] 标准库没有filler，使用buffer填充是否可行

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