版图上厚金属层的覆盖会影响下层MOS的mismatch吗？

hezea · 发表于昨天 17:16

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RT，如果两个很近的MOS差分对，都被厚金属层覆盖，MOS差分对到厚金属层的边缘都大于5um以上（即：认为金属层比MOS区域大很多），这样的layout还会影响MOS差分对的mismatch吗？

不是指厚金属只覆盖一边MOS的情况哦（这种情况肯定会引入mismatch，工艺文档有说明）。

522526tl · 发表于昨天 17:53

影响应该不大了，因为版图面积的原因，我们经常这样做，要么不覆盖，要么整体覆盖，保持上方环境一样

TCKG · 发表于昨天 17:55

有肯定有，一个是厚金属层在沉积或后续工艺过程中可能会产生应力，再一个是当电路工作时，厚金属层可能会发热，形成一定的温度场，不过有多大影响就见仁见智了

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