Class-F VCO

RFIC从零开始 · 发表于 2025-5-19 09:37:35

半导体呆瓜发表于 2025-5-18 20:46
越大，导通电阻越小，同时Cgs大，AC耦合进来摆幅不也衰减吗？这样的话不更不好导通这个偏置管
...

但是电阻的热噪声也越大，折中的

Alex鹏 · 发表于 2025-6-6 17:01:01

dc电压打出来，你这个开关管关断，272和273应该也是关断的，不会有id噪声吧

Alex鹏 · 发表于 2025-6-6 17:06:28

RFIC从零开始发表于 2025-4-16 14:57
你关闭的时候，VCO信号通过SWCAP和管子寄生电容（比如M234的Cgs）进行分压到M272的源端（看你schematic我 ...

272的gate不是被低阻拉到地了吗？为啥会导通，可能需要楼主给出关键节点的瞬态波形

JoyShockley · 发表于 2025-6-6 17:10:39

换成真正的电阻

Alex鹏 · 发表于 2025-6-6 17:13:51

JoyShockley 发表于 2025-6-6 17:10
换成真正的电阻

胡老师请教下，这种结构商用里也见到过，用这种大的关断电阻偏置有什么好处和坏处吗？

JoyShockley · 发表于 2025-6-6 20:39:23

Alex鹏发表于 2025-6-6 17:13
胡老师请教下，这种结构商用里也见到过，用这种大的关断电阻偏置有什么好处和坏处吗？
...

关不严，会贡献大量热燥或flicker

Alex鹏 · 发表于 2025-6-7 16:19:29

JoyShockley 发表于 2025-6-6 20:39
关不严，会贡献大量热燥或flicker

感谢胡老师回复，那还是在某些特定corner下会出现大量噪声贡献，正常这个解法，关断阻抗应该是很大的，不会有想楼主贴图里那么大的id噪声的吧？

半导体呆瓜 · 发表于 2025-6-12 19:22:15

JoyShockley 发表于 2025-6-6 17:10
换成真正的电阻

谢谢胡老师，所以用真正地电阻做偏置是好于这种用mos管做偏置吗？换成电阻之后我发现存在一定的环路增益下降的现象、

半导体呆瓜 · 发表于 2025-6-12 19:23:12

Alex鹏发表于 2025-6-7 16:19
感谢胡老师回复，那还是在某些特定corner下会出现大量噪声贡献，正常这个解法，关断阻抗应该是很大的，不 ...

这个是由于摆幅很大，管子会关不严，就有热噪声

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