Class-F VCO

半导体呆瓜 · 发表于 2025-4-15 21:08:46

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请问设计Class-F VCO的CBANK的时候，在下方开关管截至的时候，两侧偏置电阻贡献噪声这么大？有什么优化的方式吗？

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半导体呆瓜 · 发表于 2025-4-15 21:21:48

顶!!!!

RFIC从零开始 · 发表于 2025-4-16 09:58:26

你这是开启的还是关闭的capcode，如果是开启的有点不太对，可以尝试增大W/L减少电阻，看样子是有点像关闭的，你缺少偏置导致，关闭的时候VCO信号经过电容分压进来，导致管子开启了，你应该增加capcode关闭的时候有偏置电路，简单的话就再加两个上拉PMOS到VDD

半导体呆瓜 · 发表于 2025-4-16 14:32:38

RFIC从零开始发表于 2025-4-16 09:58
你这是开启的还是关闭的capcode，如果是开启的有点不太对，可以尝试增大W/L减少电阻，看样子是有点像关闭的 ...

我这个是下方开关管关闭的时候的噪声（S_CAP<4>=0）,经过反相器侧边电阻漏端电压已经是VDD，目前的问腿是仿真发现，侧边的偏置电阻管子（M272 M273）贡献热噪声很多。至于你说的”增加capcode关闭的时候有偏置电路，简单的话就再加两个上拉PMOS到VDD“是什么意思？本人小白，恳请您详解

RFIC从零开始 · 发表于 2025-4-16 14:57:34

半导体呆瓜发表于 2025-4-16 14:32
我这个是下方开关管关闭的时候的噪声（S_CAP=0）,经过反相器侧边电阻漏端电压已经是VDD，目前的问腿是仿 ...

你关闭的时候，VCO信号通过SWCAP和管子寄生电容（比如M234的Cgs）进行分压到M272的源端（看你schematic我估计VCO信号基本都没有衰减）,你就会看到M272源端信号是一个不确定的dc（估计是0左右）+VCO衰减信号，此时M272的Vgs就会在某些时候大于Vth使得管子打开了，所以简单解决方案如之前所讲

摸鱼星 · 发表于 2025-4-16 15:02:18

电容阵列这里我理解的是，电容和电阻形成的高通滤波能满足开启信号通过就行了，不用那边大的电阻，可以适当减小电阻噪声就下去了。还有classF的话负阻管栅端应该也是这个偏置结构，那个电阻也是能满足高通滤波极点信号能通过就行，可以适当增大电容减小电阻换噪声性能。

RFIC从零开始 · 发表于 2025-4-16 15:07:51

本帖最后由 RFIC从零开始于 2025-4-16 15:08 编辑

实在不想加的话，就把M272和M273改成电阻吧

半导体呆瓜 · 发表于 2025-4-16 15:19:13

摸鱼星发表于 2025-4-16 15:02
电容阵列这里我理解的是，电容和电阻形成的高通滤波能满足开启信号通过就行了，不用那边大的电阻，可以适当 ...

我这个仿真是是SCAP<4>=0的时候，侧边的偏置电阻管子应该是关断的，电阻是很大的（几十M欧），这时候调节其宽长比也能有效调节关断电阻吗？

半导体呆瓜 · 发表于 2025-4-16 15:20:50

RFIC从零开始发表于 2025-4-16 15:07
实在不想加的话，就把M272和M273改成电阻吧

试过了，如果换成电阻不够大的话，会大幅度降低电容阵关断时的Qoff值

RFIC从零开始 · 发表于 2025-4-16 15:31:26

半导体呆瓜发表于 2025-4-16 15:20
试过了，如果换成电阻不够大的话，会大幅度降低电容阵关断时的Qoff值

这是SWCAP结构带来的问题，没有办法解决的，只能适度调节，核心就是用这种SWCAP结构没法保证彻底关闭，M272从你仿真来看是开启的，你不想改结构就只能试调节管子M272的W/L，并没有越大越好和越小越好

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