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[求助] DCDC损耗的计算求助

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发表于 2025-4-7 17:36:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我搭了个最简单的BUCK同步电路,控制P\N管的时钟是理想源,死区时间是5ns。稳定以后,clip了100u-200us的vo,io;vin,iin;vlx,ilx进行了功率的计算,然后发现有损耗,按照上管、下管的损耗进行计算。发现计算后的Ptot与POUT-PIN还差一些mW,想问问大佬,我哪里没分析对,还是缺少哪一项损耗的分析呢?
 楼主| 发表于 2025-4-7 17:38:36 | 显示全部楼层
3.png 4.png 5.png Snipaste_2025-04-07_17-37-27.png Snipaste_2025-04-07_17-37-40.png
 楼主| 发表于 2025-4-7 17:59:15 | 显示全部楼层
自己顶一下
发表于 2025-4-7 21:27:45 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖阳 于 2025-4-7 21:29 编辑

开关损耗呢
 楼主| 发表于 2025-4-8 08:44:33 | 显示全部楼层


我这里的P_SW就是计算的上官开关损耗,不知道您说的开关损耗如何计算
发表于 2025-4-8 09:29:23 | 显示全部楼层
Qg取值有误差?
 楼主| 发表于 2025-4-8 10:07:36 | 显示全部楼层


l1361494 发表于 2025-4-8 09:29
Qg取值有误差?


一般来说应该多大呢?我这个Qg是transient OP里的,应该怎么仿真呢?
发表于 2025-4-8 13:31:26 | 显示全部楼层
本帖最后由 暖阳 于 2025-4-8 13:32 编辑

晶体管的开关是一个过程,在这个过程中电感电容上可能也会存在损耗
发表于 2025-4-8 13:34:55 | 显示全部楼层
DCR,ESR上流过的电流都是损耗
 楼主| 发表于 2025-4-8 13:41:18 | 显示全部楼层


暖阳 发表于 2025-4-8 13:34
DCR,ESR上流过的电流都是损耗


我直接计算了在VLX端,就是电感上端的功耗,我认为这么做可以将电感以及其他的负载的功耗影响给忽略,只考虑PMOS\NMOS的功耗损失。
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