Open drain ldmos iso接法讨论

IC_Spark · 发表于 2025-4-1 10:41:50

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如题，一些高压pin的open drain ldmos的iso一般是接电源，比如VDD之类的。

我有个疑问，见下图ESD示意图，在HVPAD对VDD打正向HBM的时候，VDD接设备的地为0V，芯片的substrate会被钳位到>1V的电压，
那么对于nldmos24V而言，其B-iso结正偏，D-B-iso NPN是不是就开了？
那iso的这种接法会不会导致这个寄生NPN失效？一般这种iso接什么电位更好，希望大佬们讨论解答
谢谢~

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起风了071 · 发表于 4 天前

不要接VDD，很容易失效

Wzx_imos · 发表于昨天 09:09

起风了071 发表于 2025-4-11 14:01
不要接VDD，很容易失效

大佬能说明一下原因吗？简单说明一下也行

[讨论] Open drain ldmos iso接法讨论

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