180nm工艺电流镜匹配合并SD好还是不合并好？

Huajia00

如标题所示，本人最近对0.18工艺电流镜合并SD还是分开做更好有些迷茫，希望听听大家的建议

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一搬不合并吧。合并不好做共质心匹配，合并之后在源漏之间流过的电流密度不同，拆开不共源是最好的匹配，这样可以分到每个s d之间的电流都很均匀，而且源漏两端的应力效应的影响是一致的

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不合并，电流镜sd共用会掉性能

wangsun

都可以的。合并的话，注意匹配

juvenescence

这个问题挺有意思，我第一家公司外包，从0.18~5nm都是用合并的方式，因为在大工艺合并能省很多面积节约成本，在小工艺合并能消除部分二级效应；但是在目前的这家公司做0.18工艺领导不允许合并，说是能最大程度保证实际生产器件的参数和foundry提供的器件参数一致性。

那我觉得大概就是因为器件的非对称性吧，因为在离子注入的时候是和晶面有个7°的夹角导致源漏区不一致的情况，这就导致了两个mos合并source之后电流将不再是平均分给左右两个drain了，所以不合并能最大程度保证匹配的一致性吧

bubushenghua

我上家公司的领导也是要求。模拟部分。比如：电流镜部分。差分对部分。等。不共用S/D。并且要求MOS管的方向都是S/D S/D 。不能是S/D  D/S。
目前在的这家公司，自己做决定。

Huajia00

我做0.18这种是一般是不合并，走线也更顺，不压器件，除非管子特别多，28、40这种先进工艺合并，现在老板认为合并好，不管个数，奇数的补dummy，面积不做优先考虑

知芯

关于S/D是否合并我也时常纠结：正常情况下建议是合并的，合并能减小版图面积的同时也能降低寄生以及避免和减小STI来带的影响。以前我基本是不怎么合并的，但现在从了解到资料和后仿上看合并应该是要好些的，所以对于是否合并我现在的处理方式就是 在做好匹配的情况下要么这组管子都合并 要么都不合并，还有一种就是管子局部合并 但整体影响是一致的（个人观点）

이지은

分开

realgb

其实都可以，性能和成本的相互妥协，看你的项目需求。