Finfet工艺，guardring有floating的poly这样做是为什么？

Crazyfeng. · 发表于 4 天前

做finfet五六年，一直默认这是guardring的做法，但是没有思考过为什么这样去做，有没有大佬解答一下

andyfan · 发表于 4 天前

FINFET整个都是立体结构，就是传统S/D有IMPLANT的地方，其实现在是外延长出来的，如果不按MOS管画法，生长都会出问题。你可以认为哪个POLY是用来规范生长的。

屏幕截图 2025-03-27 184200.png

蒋赵威 · 发表于 4 天前

首先可以减少信号延迟和串扰，在工艺中可以确保刻蚀和沉积的均匀性，减少工艺波动，还可以可调节guardring区域的电场分布，减少电场集中效应，从而提升器件的击穿电压和长期可靠性。

Crazyfeng. · 发表于 3 天前

蒋赵威发表于 2025-3-27 17:44
首先可以减少信号延迟和串扰，在工艺中可以确保刻蚀和沉积的均匀性，减少工艺波动，还可以可调节guardring ...

确实是这样，工艺越小，说的简单点就越像 core device pr的那种画法

[求助] Finfet工艺，guardring有floating的poly这样做是为什么？