关于bandgap结构的问题

tatau

请教一下大家，最近遇到的bandgap感觉结构分析不是很清楚，首先电阻是放在二极管接法的NPN下面（一般电阻都是放在非二极管接法的NPN下），其次分析正负反馈，感觉分析下来，正反馈大于负反馈。所以想请教一下大家这个结构

孤独的男巫

这是个基准电流产生电流。你这图都是错的

tatau

孤独的男巫 发表于 2025-3-26 12:17
这是个基准电流产生电流。你这图都是错的

是的，谢谢老师提醒，最左侧的pmos是二极管接法的pmos，其他还是不变的，这就是bandgap，没有其他偏压给这个电路了，这里省略了启动电路

kwankwaner

你怎么感觉的，图上没有比例，只要P电流镜变化时候，nmos的source变化比gate多就是负反馈，这个和电流还有电阻值还有bjt的ro相关。需要定量分析

tatau

kwankwaner 发表于 2025-3-26 15:24
你怎么感觉的，图上没有比例，只要P电流镜变化时候，nmos的source变化比gate多就是负反馈，这个和电流还有 ...

感谢老师回复，当时思考的时候是看反馈的nmos管gate接的是高阻节点，gate那一路是正反馈路径，想的就是比二极管接法的那一路负反馈系数更大一点，所以认为正反馈可能比负反馈大一点的，还有想请教下老师这个电阻的位置一般来讲都是接在二极管接法的NPN发射级，这样如图接法有些奇怪不常见，那这样延展开来讲，是不是电阻的接法非固定，根据实际的电路接在两条路径都可以？

kwankwaner

tatau 发表于 2025-3-26 18:09
感谢老师回复，当时思考的时候是看反馈的nmos管gate接的是高阻节点，gate那一路是正反馈路径，想的就是比 ...

没有你那个说法，你这个电路如果gate连接点不变，电阻和source换过去就是正反馈，不成立。如果同时把gate换到左边，环路增益不够，而且DC点随便看看电阻上电压是vbe-vgs，也是dvbe，没法自洽

gongzhe1231

这是个能产生正温电流的widar电流源，不是bg。如果没有左边电路，电阻就接在右边。左边管子的作用是钳位，使两个pmos Vds相同。既可以增加输出电阻又可以增加电源抑制比。

tatau

gongzhe1231 发表于 2025-3-27 08:53
这是个能产生正温电流的widar电流源，不是bg。如果没有左边电路，电阻就接在右边。左边管子的作用是钳位， ...

感谢回复，是我的疏忽，我没有画齐全，这一路是正温电流，然后又镜像到Vbe那一条支路做处理产生零温电压。
就是很奇怪，之前看到的电路均是电阻放在非二极管接法的NPN的发射级，这个电路多了左边的支路就能将电阻放在二极管接法的NPN，所以有些困惑~

tatau

kwankwaner 发表于 2025-3-26 19:02
没有你那个说法，你这个电路如果gate连接点不变，电阻和source换过去就是正反馈，不成立。如果同时把gate ...

感谢老师回复，我在思考一下~