如何修改DRC——RES.HV.R.1a

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请问DRC的如下问题怎么解决。本人已经在电阻外加了正确的ISO_RING，可这个HVOD是什么，咋修改呢？


RES.HV.R.1a{ @ Poly resistor for HV application is recognized as Poly resistor connecting to HVOD.             @ Poly resistor for HV application must be surrounded by isolation ring.

Visen_Chiang

模块内没有接到AA么

DZZZZa

HVOD应该是高压器件的DIFF，加了环还报错，可能是某个识别层没加。

juvenescence

首先HVOD就是HV的OD高压源区，然后你这个DRC的解释说你这个电阻因为连接高压部分了，所以认成应用在高压区域的电阻，这类电阻需要围ISOring，也就是说这个电阻需要放在iso环里面

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Visen_Chiang 发表于 2025-3-24 15:59
模块内没有接到AA么

您好，请问AA是什么？我的情况是，ISOring（0V和15V两条tap环）内部是一个低压poly电阻（＜5V）。其中DRC说这个电阻在高压环境中应该加入iso——ring的错误已经都改了。

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DZZZZa 发表于 2025-3-24 15:59
HVOD应该是高压器件的DIFF，加了环还报错，可能是某个识别层没加。

您好，我看designrule说的相关识别层好像没有，您有具体加过这种识别层的经验吗？我的情况是，ISOring（0V和15V两条tap环）内部是一个低压poly电阻（＜5V）。其中DRC说这个电阻在高压环境中应该加入iso——ring的错误已经都改了。

DZZZZa

2369240110 发表于 2025-3-24 16:31
您好，我看designrule说的相关识别层好像没有，您有具体加过这种识别层的经验吗？我的情况是，ISOring（0 ...

                               
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这个是TSMC的工艺吧，我之前有过相似的错，是因为电阻放在ISO里面了，但是外面没有围sub环，

                               
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DZZZZa

2369240110 发表于 2025-3-24 16:31
您好，我看designrule说的相关识别层好像没有，您有具体加过这种识别层的经验吗？我的情况是，ISOring（0 ...

是不是没有加衬底环，应该是3层环，从外到内，分别是PSUB环，ISO环，SUB环

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DZZZZa 发表于 2025-3-24 18:23
是不是没有加衬底环，应该是3层环，从外到内，分别是PSUB环，ISO环，SUB环
...

太谢谢您了，解决了！

DZZZZa

2369240110 发表于 2025-3-24 23:13
太谢谢您了，解决了！

好的