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EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 二级运放设计中温度影响载流子迁移率
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查看: 160|回复: 5

[求助] 二级运放设计中温度影响载流子迁移率

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silicon_monkey
发表于 昨天 19:53 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 silicon_monkey 于 2025-3-8 19:56 编辑

  前辈们请教一下这个问题：我在设计运放的时候，TT/27℃下达到PM=70,GBW=60M，但是在TT/125℃的时候出现输入管gm大大减小（到原来的65%），DC工作点基本一致，导致GBW减小很多。个人判断是载流子迁移率导致的gm下降。另外我使用gmid方法设计，第一级输入管gmoverid取了16，到125℃的时候gmoverid值只有12，现在有点不明白是哪里出问题了，请前辈们指教

TT/125

TT/125

TT/27

TT/27
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silicon_monkey
 楼主| 发表于 昨天 19:56 | 显示全部楼层
VDD=2.8V
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silicon_monkey
 楼主| 发表于 昨天 19:57 | 显示全部楼层
顶顶，求教
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silicon_monkey
 楼主| 发表于 昨天 20:04 | 显示全部楼层
顶顶求助
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发表于 10 小时前 | 显示全部楼层
随着温度升高，迁移率减小速率高于vth减小速率，从结果上来看就是gm=根号下2βId，你的偏置电流一定，则温度升高gm减小，如果想极致利用gm/id，最好是让输入对管处于亚阈值区，你设置到20左右，不知道你用的啥工艺，你可以尝试一下
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silicon_monkey
 楼主| 发表于 9 小时前 | 显示全部楼层


哎你夺笋呐、 发表于 2025-3-9 10:16
随着温度升高，迁移率减小速率高于vth减小速率，从结果上来看就是gm=根号下2βId，你的偏置电流一定，则温 ...


谢谢哥，使用的是华力55nm。也就是说如果要放着这种变化，最好在室温下用gmid方法的时候先让两个输入管的过驱动都小一些吗？保证gmoverid大概都在20附近？
在-40度的时候他会反向变化，GBW会飙到100M，相应的PM掉下来。
特别感谢

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