设为首页收藏本站
在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)

手机号码，快捷登录

手机号码，快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
创芯云服务  : 创芯大讲堂  | 创芯人才网 | 数字IC职业培训  EETOP诚邀线上IC培训讲师!
搜帖子
EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网)»论坛 › IC 设计及制造（半导体、微电子） › Analog/RF IC 设计 › Analog/RF IC 设计讨论 › 二级运放设计中温度影响载流子迁移率
返回列表 发新帖
查看: 796|回复: 7

[求助] 二级运放设计中温度影响载流子迁移率

[复制链接]
silicon_monkey
发表于 2025-3-8 19:53:39 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册

x
本帖最后由 silicon_monkey 于 2025-3-8 19:56 编辑

  前辈们请教一下这个问题：我在设计运放的时候，TT/27℃下达到PM=70,GBW=60M，但是在TT/125℃的时候出现输入管gm大大减小（到原来的65%），DC工作点基本一致，导致GBW减小很多。个人判断是载流子迁移率导致的gm下降。另外我使用gmid方法设计，第一级输入管gmoverid取了16，到125℃的时候gmoverid值只有12，现在有点不明白是哪里出问题了，请前辈们指教

TT/125

TT/125

TT/27

TT/27
回复

举报

silicon_monkey
 楼主| 发表于 2025-3-8 19:56:52 | 显示全部楼层
VDD=2.8V
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

silicon_monkey
 楼主| 发表于 2025-3-8 19:57:43 | 显示全部楼层
顶顶，求教
回复 支持 反对

举报

silicon_monkey
 楼主| 发表于 2025-3-8 20:04:18 | 显示全部楼层
顶顶求助
EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

发表于 2025-3-9 10:16:17 | 显示全部楼层
随着温度升高，迁移率减小速率高于vth减小速率，从结果上来看就是gm=根号下2βId，你的偏置电流一定，则温度升高gm减小，如果想极致利用gm/id，最好是让输入对管处于亚阈值区，你设置到20左右，不知道你用的啥工艺，你可以尝试一下
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

silicon_monkey
 楼主| 发表于 2025-3-9 10:48:58 | 显示全部楼层


哎你夺笋呐、 发表于 2025-3-9 10:16
随着温度升高，迁移率减小速率高于vth减小速率，从结果上来看就是gm=根号下2βId，你的偏置电流一定，则温 ...


谢谢哥，使用的是华力55nm。也就是说如果要放着这种变化，最好在室温下用gmid方法的时候先让两个输入管的过驱动都小一些吗？保证gmoverid大概都在20附近？
在-40度的时候他会反向变化，GBW会飙到100M，相应的PM掉下来。
特别感谢

EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

rsjia
发表于 2025-3-10 17:11:55 | 显示全部楼层
为什么不用PTAT的偏置电流？
EETOP创芯人才网简历投递入口
回复 支持 反对

举报

silicon_monkey
 楼主| 发表于 2025-3-10 19:56:06 | 显示全部楼层


rsjia 发表于 2025-3-10 17:11
为什么不用PTAT的偏置电流？


谢谢，今天想到了，做了修改，效果不错，谢谢！


EETOP创芯人才网职位发布入口
回复 支持 反对

举报

返回列表 发新帖
高级模式
B Color Image Link Quote Code Smilies
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-4-29 09:47 , Processed in 0.024480 second(s), 8 queries , Gzip On, MemCached On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表