采样保持电路设计要求

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如题，近期小弟在做一个采样保持电路，指标是12位200MSPS，工艺库SMIC0.18um，电源电压1.8V
我计划使用电容翻转结构：

看了一些论文和PPT，看到需要设计下面这样的栅压自举开关

实操起来遇到了很多问题，首先是图中的反相器设计，根据奈奎斯特定理，输入信号最高频率100Mhz
我设计了如下的电路

初步将PMOS和NMOS的L都设置成最小值，180nm，NMOS的W设置为1um，PMOS的W设置成2um
我将Vpulse设置成如下图（信号频率100Mhz，ts和tf均为1ns）：

不带电容负载，进行trans分析如下图（没找到如何标记交点，手动拉的尽量准的交点）：

不知道为何上升下降的阈值电压不相等
怀疑是PMOS W问题导致阈值电压不在0.9V，所以上升下降阈值电压不相等，用parametric analysis去跑了一下W的值，范围是2um到4um

这样看到，W的值越大，vin=vout的点越来越右移
如果要让vin=vout的点刚好在电源电压一半的值，W要再小一点
于是我再调整了一下W的扫描范围：

大概W在1.6um的时候，阈值电压是0.9V了。我看网上说PMOS的迁移率大概是NMOS的2-3倍，那么NMOS的W是1um，PMOS是不是应该为2-3um呢？
除此之外，尽管已经到0.9V了，阈值电压还是不对称

                               
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求有经验的前辈不吝赐教！