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[求助] 用HxReporter进行芯片拍照数据提图

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发表于 2025-2-23 14:41:24 | 显示全部楼层 |阅读模式

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给了芯片的分层拍照数据,任务是利用芯愿景公司的Heriux Reporter提图,最终要获得MOS管级的原理图。

目前正在读本科,需要处理的芯片应该是一个运放,除了安装软件附带的manual没有别的参考,但是看了说明书感觉好像无法只利用这一个软件完成任务,目前对这项工作十分迷茫。
请问有经验的前辈,从拍照数据到原理图都需要经历步骤,只用Reporter可以完成任务吗,可以去哪里获得一些类似于指导书的参考,完成这项任务大概需要多长时间呢?
发表于 2025-2-23 19:58:48 | 显示全部楼层
万事不绝问AI,

使用芯愿景公司的Heriux Reporter工具从芯片分层拍照数据中提取MOS管级原理图,需要经过系统化的流程,以下是详细步骤及注意事项:

---

### **一、前期准备**
1. **数据采集与处理**
   - **分层拍照**:通过显微镜(如SEM/FIB)逐层拍摄芯片,确保每层图像对齐且分辨率足够(纳米级精度)。
   - **去层处理**:使用化学或物理方法(如离子刻蚀)逐层去除芯片材料,露出金属层、多晶硅层、扩散层等关键结构。
   - **图像预处理**:
     - 对齐各层图像(使用工具如Photoshop或专业对齐软件)。
     - 调整对比度、去噪、边缘增强,确保特征清晰。

2. **文件格式转换**
   - 将图像转换为Heriux Reporter支持的格式(如TIFF、PNG),并按层命名(如Metal1、Poly、Diffusion)。

---

### **二、Heriux Reporter操作流程**
1. **导入分层数据**
   - 打开Heriux Reporter,创建新项目。
   - 按工艺层顺序导入图像(如先衬底层,后金属层),设置每层的类型(Metal、Poly、Via等)。

2. **层对齐与校准**
   - 使用软件内置的**层对齐工具**(如基于标记点或特征点匹配),确保各层精确叠加。
   - 校准比例尺(根据拍摄时的分辨率设置μm/pixel)。

3. **特征识别与提取**
   - **自动识别**:
     - 运行“自动提图”功能,识别金属连线、接触孔(Via)、多晶硅栅极等结构。
     - 调整识别参数(如线宽阈值、颜色敏感度)以优化结果。
   - **手动修正**:
     - 检查自动提取结果,修正误识别区域(如短路/断路、缺失的触点)。
     - 使用绘图工具补充未识别的MOS管(如栅极与源/漏的连接)。

4. **MOS管级结构重建**
   - **元件标注**:
     - 标定NMOS/PMOS区域(根据阱层或掺杂信息)。
     - 标注源极(Source)、漏极(Drain)、栅极(Gate)及衬底连接。
   - **电路连接**:
     - 通过金属层和接触孔确定各MOS管的互联关系。
     - 生成网表(Netlist)或直接导出为原理图。

5. **原理图生成与优化**
   - 使用“原理图合成”功能将物理结构转换为逻辑电路。
   - 整理布局(按模块分组、调整走线),提高可读性。

---

### **三、验证与输出**
1. **设计规则检查(DRC)**
   - 运行DRC验证是否符合工艺设计规则(如最小线距、接触孔尺寸)。
   - 修复间距错误或短路/断路问题。

2. **电路仿真验证**
   - 导出网表至仿真工具(如SPICE),验证电路功能是否与预期一致。
   - 对比实际芯片行为(如通过探针测试)。

3. **输出结果**
   - 导出原理图为PDF、DXF或EDA工具兼容格式(如Cadence Virtuoso)。
   - 保存项目文件以便后续修改。

---

### **四、常见问题与技巧**
- **图像对齐困难**:在拍摄时添加定位标记(如十字线),或使用软件自动匹配算法。
- **复杂互联识别**:分模块处理,优先提取标准单元(如反相器、NAND门),再拼接整体。
- **小尺寸工艺挑战**:针对7nm/5nm等先进工艺,需更高分辨率图像和更精细的参数调整。

---

### **五、注意事项**
- **法律合规**:确保逆向工程行为符合当地法律及知识产权法规。
- **数据安全**:妥善管理敏感芯片数据,避免未授权泄露。
- **工具支持**:参考芯愿景官方文档或联系技术支持解决特定问题。

通过以上步骤,可系统化地从分层图像重建出精确的MOS管级原理图。若需高效处理大规模芯片,建议结合脚本自动化(如Python批处理)和团队协作分工。
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