这种失效情况是ESD还是EOS导致的？

tencome

某款芯片 20+ nm级别的电路，封装后测试确认是固定A机器发生大量测试不良，其它机器BCD等无异常。

1. MOSFET 的oxide gate 通过TEM发现被击穿，ESD保护电路和MOSFET并联情况下，  ESD保护电路却没有异常，这个是什么原因？

2. A机器测试的好品用同样程序的再次测试，又会发生新的不良。BCD机器测试筛选的好品再次进行测试还是好品。这个又怎么解释？