关于RF放大器(QPA4563C)的输出阻抗匹配和使用ADS仿真的问题

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QPA4563C是一颗[size=1.375]50 - 4000 MHz 可级联 SiGe HBT MMIC 放大器。芯片官网
[size=1.375]      我想把这个放大器用在超宽带系统的中频放大上（IF：2730-3730MHz）查看S22参数发现在IF频段上约为10dB，且较为平坦，增益则是在15dB附近。
[size=1.375]      但是在设计外围偏置和匹配电路的时候，遇到了问题。查看datasheet中给出的850MHz的点频放大的参考电路。

DS中850MHz的参考电路

       显而易见的是，C1和C2都是用来给晶体管供电滤波的，L1在这里有两个作用，一个是做射频扼流圈，阻挡RF_OUT的高频交流信号。另一个则是与其余电容一起构成窄带匹配电路。C5和C4在这里都是主要起到了AC耦合电容的作用，保证射频输出都是交流信号。

       一个直观的想法是使用晶体管的小信号模型进行分析，那么L1和C3就构成了一个非常简单的LC谐振电路。我只需要控制L1和C3的大小，并选择较小的Q值，就能够使用宽带的阻抗匹配。根据DS中提供的850MHz EVAKIT选择了C3：68pF，L1：33nH和C5：100pF。

P1的端口阻抗根据S参数文件的S22取得，P2为50 Ohm，据此进行了ADS仿真结果与数据手册中较为接近，其中850MHz附近S参数较好。

根据计算调整离散元件的Value：C3：16pF，L1：16nH和C5：43pF，再次进行仿真

转换的图

此时似乎能够满足要求？再次观察参考电路，似乎电路两者并不像符合？

求助一下，如何对宽带放大器的输出后继做匹配呢？（尽可能减小外部电路）