ESD问题

陈十一 · 发表于 2025-2-12 18:00:44

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求助大佬！！！
GGNMOS栅宽不变情况下，其ESD能力和栅长是什么关系？

蒋赵威 · 发表于 2025-2-12 21:49:18

栅长增加会导致沟道电阻上升，限制ESD电流的通过，从而降低ESD能力

Wzx_imos · 发表于 2025-2-13 08:36:33

1. 有可能会影响器件的BV，和Vt1。(因为当源漏的距离足够小的时候，可以利用源漏的穿通效应，减小BV。)

2. 当源漏的距离（栅长）足够大时，此时的BV就是N+区域与Pwell的雪崩击穿电压了，此时增大栅长主要影响的是器件的动态导通电阻。

IC_Spark · 发表于 2025-4-1 17:05:16

Wzx_imos 发表于 2025-2-13 08:36
1. 有可能会影响器件的BV，和Vt1。(因为当源漏的距离足够小的时候，可以利用源漏的穿通效应，减小BV。)

2. ...

Lg增大还会导致Vh提高的，这是个好处

hujiangtao007 · 发表于 2025-4-11 18:23:43

IC_Spark 发表于 2025-4-1 17:05
Lg增大还会导致Vh提高的，这是个好处

能展开细说吗？

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