在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 447|回复: 3

[讨论] IO设计中,MOS的gate接到电源或地的做法。

[复制链接]
发表于 2025-2-6 14:38:29 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在IO设计中,有的MOS的gate需要固定接到电源或地上,我看有的是通过tiehigh或者tielow来连接的,有的是通过一个电阻后直接连到电源地上,想请问一下这两种做法是有什么区别呢?
发表于 2025-2-6 16:10:47 | 显示全部楼层
不知道 同问
发表于 2025-2-6 17:47:08 | 显示全部楼层
一般不会让gate直接接power或gnd,特别是core器件,通过电阻接gate或者tie high/low都有防ESD的效果,在不方便加电阻的场景比如数字电路就会用tie high/low
发表于 2025-2-7 09:38:19 | 显示全部楼层
也有的
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-2-22 11:51 , Processed in 0.020140 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表