无片外电容LDO欠冲瞬态分析

safu · 发表于 2025-1-19 17:14:09

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本帖最后由 safu 于 2025-1-19 17:22 编辑

一个无片外电容LDO在仿真瞬态时发现负载跳变时的欠冲比过冲要大很多
不同工艺角下，设置负载电流从40mA向80mA以10ns跳变时
分析原因，看误差放大器内部的节点瞬态

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当负载电流从40mA向80mA跳变时，功率管栅电压无法跳变，只能通过降低源端电压，即Vout降低，Vout传到误差放大器反向端被检测到

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NM4栅压变大电流也变大，导致NM9栅压掉被关断，NM9路几乎无电流

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仿真发现：此时PM3电流减小，NM4上电流来自miller补偿的电阻和电容，NM9几乎无电流，PM13电流流经miller补偿电容电阻给NM9栅端充电

分析：看论文无片外电容LDO的瞬态特性与环路增益与带宽有关，为了调miller补偿带来的零点的调零电阻确实会降低带宽
但是当欠冲发生时，NM9已经没有电流，相当于被关断，这种情况还属于考虑GBW的影响还是考虑SR或者内部节点充电速率，个人感觉是不是miller电阻影响了PM13电流流经miller补偿电容电阻给NM9栅端充电的速率导致响应很慢，欠冲较大
烦请各位大佬指正赐教！

laiming · 发表于 2025-1-26 14:13:14

什么结构的LDO

safu · 发表于 2025-1-28 11:58:06

laiming 发表于 2025-1-26 14:13
什么结构的LDO

简单的NMOS LDO

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不好意思，在家没电脑简单从网上找了张图

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