LDO掉电太慢，使能信号无作用

长江头TM · 发表于 2024-12-30 19:26:44

youngabin 发表于 2024-12-30 09:21
这么大片外电容轻载掉电当然慢，你看看使能关断后电容向哪儿放电，电流多大就知道了，估计只靠分压电阻放电 ...

感谢您的解答！我在LDO输出加了下拉的NMOS，尺寸为160u/0.28u，栅端用EN_B来控制，下电有了很大的改进
屏幕截图 2024-12-30 191724.png

还有一个小问题想请教您，电路中原本的EN是外部输入，EN_B是电路内部由EN经反相器产生的，这就使得VDD下电时，EN_B会失效（想要EN_B正常工作只能是VDD保持高电平不变）。所以我现在把EN和EN_B都改为外部输入单独控制。
屏幕截图 2024-12-30 192451.png

想问下大佬对使能信号这里有没有其他的方法呢？我现在的解决办法有点像在打补丁，感谢感谢

长江头TM · 发表于 2024-12-30 19:29:12

tomcarrot 发表于 2024-12-30 13:29
你看看你的电路里，哪里有输出到地的电流路径呢？
把使能关掉后，靠什么把电容上的电荷放掉呢 ...

感谢您的回复！
电路中确实只有反馈电阻网络作为输出到地的放电回路，除了在输出端加下拉NMOS外还有什么增加放电回路的方法呢？感谢感谢！

长江头TM · 发表于 2024-12-30 19:31:01

chungming 发表于 2024-12-30 18:45
please refer to here, the (4) output discharge:
https://toshiba.semicon-storage.com/tw/semicond ...

感谢您的解答和资料！收获很大！

长江头TM · 发表于 2024-12-30 20:21:17

长江头TM 发表于 2024-12-30 19:25
感谢您的解答！学习到了！
我在LDO输出加了下拉的NMOS，尺寸为160u/0.28u，栅端用EN_B来控制，下电有了很 ...

我将EN_B作为外部输入的使能信号，然后内部通过反相器产生了EN信号，这样好像就可以了

Aries_F · 发表于 2025-2-18 15:07:38

kkkkkkk

[求助] LDO掉电太慢，使能信号无作用