高压器件与低压器件的布局问题（standard cell）

Annie_kyohou

高压standard cell和低压standard cell的NW衬底是同一个衬底（同一电位），我DRC rule上是可以把他们直接放到一起的，NW直接连通，但是别人跟我说如果它们的NW直接连通的话由于NW的掺杂可能有差别，会产生漏电；但是高压器件和低压器件的掺杂上的区别并不是NW的区别吧，而是active的掺杂浓度的区别，在我看来NW如果掺杂浓度有区别，那也只是少量的，然后会漏电的问题，它会往哪里漏电呢？无非是自己阱内的漏电，我觉得无伤大雅。有人能来给个讨论一下吗？

我是噪声

俩放在一起跑个lvs drc试试 这种有问题应该会报出来

Annie_kyohou

我是噪声 发表于 2024-12-26 16:42
俩放在一起跑个lvs drc试试 这种有问题应该会报出来

没有问题，我之前在T这样做都没问题哦，我就是因为跑出来没有问题，但是别人跟我说了一嘴，我就在思考这个问题的必要性。

acrofoxAgain

你这里的高压是只IO电压么？如果是这个高压，那应该都是普通的NW，等电位的合并至少从漏电角度看是没问题的。

Annie_kyohou

acrofoxAgain 发表于 2024-12-26 17:02
你这里的高压是只IO电压么？如果是这个高压，那应该都是普通的NW，等电位的合并至少从漏电角度看是没问题的 ...

不，我指的是器件，高压器件，25od33那种和普通的低压器件。

Pinepine

那得看你这个nw阱电压是高压还是低压，如果是高压，那最好不要，低压管放高压区域会导致漏电，如果是低压，那就没问题，这样做是可以的。

Annie_kyohou

Pinepine 发表于 2024-12-26 17:22
那得看你这个nw阱电压是高压还是低压，如果是高压，那最好不要，低压管放高压区域会导致漏电，如果是低压， ...

阱电压是高压的意思是比如低压是1.1V，高压是3.3V，加3.3V的电压给低压器件吗？这个漏电的机制是怎样的呢？

Pinepine

Annie_kyohou 发表于 2024-12-26 17:53
阱电压是高压的意思是比如低压是1.1V，高压是3.3V，加3.3V的电压给低压器件吗？这个漏电的机制是怎样的呢 ...

低压管子接中高压肯定会漏电，电压越高，低压管子会烧坏，具体从工艺的角度来看，我也不清楚了，我的理解是这样。

Annie_kyohou

Pinepine 发表于 2024-12-26 18:06
低压管子接中高压肯定会漏电，电压越高，低压管子会烧坏，具体从工艺的角度来看，我也不清楚了，我的理解 ...

嗯嗯嗯，既然这样咱们这个问题还可以继续讨论，有想法的大家都可以聊一聊。

acrofoxAgain

Annie_kyohou 发表于 2024-12-26 17:04
不，我指的是器件，高压器件，25od33那种和普通的低压器件。

2.5V 3.3V也就是IO电压了，一般阱是一样的，漏不漏电取决于器件本身，跟阱是不是连在一起没什么关系。