elpnp

qq1328454800 · 发表于 2024-12-24 13:59:10

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请教大神，elpnp为高压PIN做ESD保护时，为啥没有snapback特性？

fei_SH · 发表于 2024-12-26 08:50:51

这个是基本器件特性啊。 PNP的载流子是空穴，beta又小，维持电压接近开启电压，表现出来就是没有snapback了。

Wzx_imos · 发表于 2025-1-21 09:13:45

1.PNP的载流子是空穴，在硅中由于电子和空穴的运动机制不同，其迁移率存在显著差异：常温下电子迁移率约为空穴迁移率的三倍

2.这个是横向的PNP，所以寄生PNP的β值很小

结合上面两点，这个elPNP内部发生的电导调制效应相较于NPN，GGNMOS，SCR这些器件来说太弱了，所以不表现出回滞特性。

补充：我有看到一些论文，其中做的是垂直结构的PNP（β值较高），用的是什么工艺我忘记了，就表现出了微弱的回滞效果。所以不要以为有电导调制就一定会有回滞，也要看电导调制效应的强弱。

你这个应该是DB HiTek 0.18um的BCD工艺吧！我也用过，同时我还用过这个器件

他们家的BCD工艺ESD design reference 给的ESD设计的参考信息还是蛮多的。用过**Nuvoton的一个BCD工艺，给出的ESD设计参考信息实在是太少了基本等于没有。

qq1328454800 · 发表于 2025-1-26 11:12:39

fei_SH 发表于 2024-12-26 08:50
这个是基本器件特性啊。 PNP的载流子是空穴，beta又小，维持电压接近开启电压，表现出来就是没有snapback了 ...

感谢大神的指点，学习了

qq1328454800 · 发表于 2025-1-26 11:14:35

Wzx_imos 发表于 2025-1-21 09:13
1.PNP的载流子是空穴，在硅中由于电子和空穴的运动机制不同，其迁移率存在显著差异：常温下电子迁移率约为 ...

感谢大神的解释说明，确实是是DB HiTek 0.18um的BCD工艺

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