IO device和core device的问题？

TimIC · 发表于 2024-12-11 20:34:36

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各位前辈想请教一下，关于io device的问题，我现在使用的工艺是TSMC的40nm，但是由于特殊的电压需求需要使用里面的3.3V电压的I/O device 。请问所谓I/O device 和core device区别仅仅是电压功耗和速度上的区别吗，会有制造上的良率的问题吗，我如果用I/O device 来设计核心的电路有问题吗，会不会有模型比较粗糙然后仿真不太准确的问题？

xuwenwei · 发表于 7 天前

不会如果电压必须的话可以用io device做电路

TimIC · 发表于 7 天前

xuwenwei 发表于 2024-12-12 10:45
不会如果电压必须的话可以用io device做电路

好的，感谢您的答复。

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