双层RING，下面的两种画法都可以吗

CJH_1 · 发表于 2024-12-11 15:39:51

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如果可以的话，哪种比较好

我是噪声 · 发表于 2024-12-11 16:13:07

上边第一种问题不大，下边第二种最外边的Nring相当于iso，那么就需要加电位，如果工艺本身没有这样的要求的话，不需要这样加，ring的性能取决于ring的宽度，也就是物理距离，而不靠掺杂

我是噪声 · 发表于 2024-12-11 16:14:00

当然也希望听到更多的思路

Ye_Shi_Wo · 发表于 2024-12-11 16:43:26

我们一般用第一种结构，n-tap接个单独的电位

GoingtoStudy · 发表于 2024-12-11 16:49:56

我倾向于大电流NMOS三环，PMOS双环

主要是为了保证最外圈是地，但我不记得为啥要这么做了

或者说，有没有保证最外圈是地的必要

zhaohaoyang · 发表于 2024-12-11 17:00:28

第一种是常见的双环加法。第二三种为什么最外层都是Nring呢，不应该是加衬底电位（Pring）嘛。第三种应该不属于双环了吧，P管是加了两层Nring呢。

wyouc · 发表于 2024-12-11 17:01:46

第一种更好。第二种P管外边两圈NRing,不如一圈NRing＋一圈PRing

GoingtoStudy · 发表于 2024-12-11 17:20:52

zhaohaoyang 发表于 2024-12-11 17:00
第一种是常见的双环加法。第二三种为什么最外层都是Nring呢，不应该是加衬底电位（Pring）嘛。第三种应该不 ...

佬，请教一下，我一直是尽可能保持双环或者三环最外圈保持接地，但我忘了为啥要这么做了

外圈接地有什么必要性吗

ZN0001 · 发表于 2024-12-11 17:21:41

我理解的不错的话你应该是个多少子保护环吧，首选第一种，第二种P管的少子保护环没有呀

CJH_1 · 发表于 2024-12-11 18:42:56

ZN0001 发表于 2024-12-11 17:21
我理解的不错的话你应该是个多少子保护环吧，首选第一种，第二种P管的少子保护环没有呀 ...

是的

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