tsmc power cut接法疑问

lgs4903483 · 发表于 2024-12-11 01:54:35

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本帖最后由 lgs4903483 于 2024-12-11 01:56 编辑

对于TSMC 官方提供的power cut cell PRCUT，加在模拟ioring的左右两边，两边外面没有其他io domain

如下图所示
2个疑惑。
第一
是对于外面没有其他io domain，现在PRCUT的VSS2 pin是不是悬空，啥都不接？VSS BUS 接core的VSS

第二
如果是模拟io domain外面还有其他io domain现在加了PRCUT,VSS2需要和外面的IO domain的地接上，那按照PRcut 结构，B2B diode只存在VSS1和VSS之间
VSS2和VSS之间，难道VSS1和VSS2之间不需要B2B diode吗？为何像PLL 那种有几个地的，每2个地之间都加了B2B diode，IO的不同IO domain的地就只需要和VSS 有B2B diode，他们两两之间却可以不加了

lgs4903483 · 发表于 2024-12-11 01:55:39

本帖最后由 lgs4903483 于 2024-12-11 02:14 编辑

模拟io ring 左右两边是PRCUT,外面没有其他io domain，这个时候，外面的VSS2是不是悬空，啥都不接 ... ... ...

第一
模拟io ring 左右两边都没有其他io domain 左右最外面两边加的是PRCUT
对于外面没有其他io domain，现在PRCUT的VSS2 pin是不是悬空，啥都不接？IO里面的VSS BUS 确定是接core的VSS

第二
如果是模拟io domain外面还有其他io domain现在加了PRCUT,VSS2需要和外面的IO domain的地接上，那按照PRcut 结构，B2B diode只存在VSS1和VSS之间
VSS2和VSS之间
难道VSS1和VSS2之间不需要B2B diode吗？为何像PLL 那种有几个地的，每2个地之间都加了B2B diode，IO的不同IO domain的地就只需要分别和VSS（GLOBAL ESD VSS) 有B2B diode，他们两两之间却可以不加了？

jinpeng.li · 发表于 2024-12-11 09:28:35

不同IO domain的地就只需要和VSS 有B2B diode, local VSS之间有不超过两级的B2B就可以

lgs4903483 · 发表于 2024-12-11 09:53:58

jinpeng.li 发表于 2024-12-11 09:28
不同IO domain的地就只需要和VSS 有B2B diode, local VSS之间有不超过两级的B2B就可以 ...

问题是local的VSS之间从PRCUT结构来看，他们之间没有任何diode，只是分别和VSS bus有diode

lgs4903483 · 发表于 2024-12-11 15:04:56

jinpeng.li 发表于 2024-12-11 09:28
不同IO domain的地就只需要和VSS 有B2B diode, local VSS之间有不超过两级的B2B就可以 ...

我知道了你意思是VSS1和VSS2 通过VSS bus 其实是有2个B2B diode的，也是可以起到作用的，所以还是有B2B diode，现在是2个，只要不超过2个就可以，请问我的理解对吗？

jinpeng.li · 发表于 2024-12-11 18:47:59

lgs4903483 发表于 2024-12-11 15:04
我知道了你意思是VSS1和VSS2 通过VSS bus 其实是有2个B2B diode的，也是可以起到作用的，所以还是有B2B ...

是的

semon_lee · 发表于 2024-12-12 17:19:08

问题1，除了PRCUT 外一般应该还有一个PENDCAP的，是封住单边的，PRCUT单边浮空，会报latch up 的错
问题2，没有探究过这个PRCUT内部的结构，但是这个器件可能可以这么用，毕竟TSMC

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