求助，ldo低噪声设计问题

FancySk1Y · 发表于 2024-12-4 17:49:43

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

本人是本科生刚接触模拟电路，目前毕设题目是ldo的高精度低噪声设计，仿真下来整个ldo的性能还可以，但是噪声比较大（和其他.18工艺的设计比起来大了超级多），仿真发现是带隙基准中采用的折叠cascode噪声贡献最大，请问如果想要进行低噪声改进，应该如何考虑？我也有看过一些分享，低噪声需要用功耗来换，那么请问比较好的方向是改进放大器结构还是从其他方面解决？谢谢各位！

ShiningStarH · 发表于 2024-12-4 18:01:49

M10和M14尺寸太大了，gm高贡献的噪声就大，而且你的管子面积小，w和l取大点

castrader · 发表于 2024-12-4 18:43:33

这俩管子不是尺寸太大了，相反，是L太小了，1/f噪声太大，试试改成20u/10u看看

ydkeng · 发表于 2024-12-4 19:43:21

输入对管（M16，M15）和折叠负载管（M10，M14）可以换成三极管，双极型器件1/f噪声比MOSFET小很多

en_run · 发表于 2024-12-4 21:21:16

bandgap中op的噪声贡献可以考虑增大bjt的比例。后面可以试着加斩波。

Mrseawal · 发表于 2024-12-5 10:09:44

M10 M14的L加大

IC菜鸟plus · 发表于 2024-12-5 10:13:48

M10 M14的下方加个1.5K作用的电阻试下

FancySk1Y · 发表于 2024-12-5 10:40:46

好的谢谢各位的建议，十分感激！

FancySk1Y · 发表于 2024-12-5 10:49:40

castrader 发表于 2024-12-4 18:43
这俩管子不是尺寸太大了，相反，是L太小了，1/f噪声太大，试试改成20u/10u看看 ...

是的，改进后效果显著，从噪声影响的根本出发改是最有效的

18351923586 · 发表于 2024-12-5 10:54:08

1）结构上：试试FVF的结构，但是也要看你的输入输出范围！
2）电路上：电流镜负载管追求小Gm（增大L），对管大Gm，或者像楼上说的换成bjt或者加入源极退化电阻

[求助] 求助，ldo低噪声设计问题

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2