MCU内部LDO不能支撑DFT的瞬态电流

quanqiutong

你们芯片正常工作的功耗有多少？

zxg1992

quanqiutong 发表于 2024-11-28 11:40
你们芯片正常工作的功耗有多少？

正常工作在几十到一百多mA

zxg1992

quanqiutong 发表于 2024-11-28 11:38
是stuck at还是transition？ 可以通过减小pattern的翻转率来减少瞬态电流。

减小pattern会不会导致漏测呢

quanqiutong

zxg1992 发表于 2024-11-28 14:17
正常工作在几十到一百多mA

那就不是pattern的问题，而是漏电了。

zxg1992

quanqiutong 发表于 2024-11-28 14:32
那就不是pattern的问题，而是漏电了。

瞬态电流大也是漏电吗？

metotj

zxg1992 发表于 2024-11-28 14:35
瞬态电流大也是漏电吗？

瞬态电流大，都是门翻转的动态电流

memcad

常见问题，你链太长，相关性太高，导致内部翻转率过大，看看是哪个模块，链改改。比如A[127:0]*B[127:0], 你如果低位都在一条链上，肯定翻转率过高，得错开。你在pattern仿真时候就得注意动态功耗报告。

zxg1992

memcad 发表于 2024-12-1 16:53
常见问题，你链太长，相关性太高，导致内部翻转率过大，看看是哪个模块，链改改。比如A[127:0]*B[127:0],  ...

额  谢谢 ！那我想再问一下改变链长，减低相关性会影响DFT测试的时间吗，会不会导致ATE测试时间过长？一般DFT比正常功能模式的动态电流大多少倍呢，有经验值吗？

memcad

zxg1992 发表于 2024-12-2 09:29
额  谢谢 ！那我想再问一下改变链长，减低相关性会影响DFT测试的时间吗，会不会导致ATE测试时间过长？一 ...

可能会影响，但是DFT员工必须先尝试给出至少2~3个方案。功耗主要看供电能力是否能承受和散热能力风险。DFT fail，芯片只能re full mask

zxg1992

memcad 发表于 2024-12-11 11:43
可能会影响，但是DFT员工必须先尝试给出至少2~3个方案。功耗主要看供电能力是否能承受和散热能力风险。DF ...

谢谢！大概了解了