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查看: 946|回复: 21

[求助] MCU内部LDO不能支撑DFT的瞬态电流

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发表于 2024-11-27 11:40:22 | 显示全部楼层 |阅读模式

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MCU芯片内部自带LDO,但是由于DFT的仿真电流的瞬态变化很快(静态功耗+动态功耗,动态功耗包含短路和翻转)速度在300ps内从几mA上升到1A,LDO不能供电。DFT真的有这么快的电流变化吗?有什么办法规避DFT测试的电流变化快导致LDO动态压降大?
发表于 2024-11-27 13:46:30 | 显示全部楼层
1A的话电流太大,而且变化速度也太快。一般LDO不会支持1A的loading的。
发表于 2024-11-27 14:34:57 | 显示全部楼层
这么大电流一般承受不了,建议问问你们模拟工程师。如果是scan测试的话,你可以试试降低pattern的翻转率。
 楼主| 发表于 2024-11-27 16:23:07 | 显示全部楼层


DFTbin 发表于 2024-11-27 14:34
这么大电流一般承受不了,建议问问你们模拟工程师。如果是scan测试的话,你可以试试降低pattern的翻转率。 ...


那是不是只有增加片数字电路部分的片内电容了呢?

点评

5楼回答了你,但是话说回来,为什么你的mcu DFT的时候会有这么大电流,是mcu的规模很大吗?  发表于 2024-11-28 09:36
发表于 2024-11-28 09:05:38 | 显示全部楼层
从设计上讲,这么大电流,scan的时候应该外接电源。好像DFT的文档里有关于大瞬态电流的处理方法
 楼主| 发表于 2024-11-28 10:35:41 | 显示全部楼层


zxg1992 发表于 2024-11-27 16:23
那是不是只有增加片数字电路部分的片内电容了呢?


平均电流到不了这么大,但是瞬态电流会这么大,主要就是芯片的瞬态电流带入到LDO仿真导致压降大,过不了
 楼主| 发表于 2024-11-28 10:36:43 | 显示全部楼层
本帖最后由 zxg1992 于 2024-11-28 10:40 编辑


elone 发表于 2024-11-28 09:05
从设计上讲,这么大电流,scan的时候应该外接电源。好像DFT的文档里有关于大瞬态电流的处理方法 ...


能不能分享一下文档,或者告知一下在哪里去找DFT文档
 楼主| 发表于 2024-11-28 10:39:45 | 显示全部楼层


zxg1992 发表于 2024-11-28 10:36
不能分享一下文档,或者告知一下在哪里去找DFT文档


能不能分享一下文档,或者告知一下在哪里去找DFT文档。感谢
发表于 2024-11-28 10:45:54 | 显示全部楼层


zxg1992 发表于 2024-11-28 10:39
能不能分享一下文档,或者告知一下在哪里去找DFT文档。感谢


tmax 命令 set_atpg 里面有关于power的设置。但是我觉得这个配置不解决大的问题,如果功耗很巨大,就必须考虑设计上改变
发表于 2024-11-28 11:38:34 | 显示全部楼层
是stuck at还是transition? 可以通过减小pattern的翻转率来减少瞬态电流。
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