关于N Well电阻的问题

xieyk6

如题，我不太清楚N Well电阻应该用什么guardring比较合适，是直接用Psub Guardring并且接地就行了吗？而且我看到之前的帖子有这么一个说法，N Well电阻的宽度最好是5-6um左右（如图片所示），有这个说法吗？求各位大佬指点迷津

xieyk6

急急急急急

xieyk6

用的是TSMC 0 .18um工艺

存在感

如应用电压范围在低压区域 一般就接地 的p 型隔离环，如电阻所接有负压情况需要结合具体情况选择合适隔离形式。如是高于范围 超与 到衬底耐压 就需要加ISO，能否这么做还要看ISO 的结构 是否可以使Nwell 独立与ISO 电位。

David.Z

他说的Nwell部分需要加N+guardring然后电阻外围加pusbring吧，  你跑lvs也能看到如果Nwell不接VDD会有ERC警告的，还有我记得你把tsmc 的DRC RULE file中的check with recommend 打开也会让你给悬空的NWELL接电源。
另外就像我说的如果你拿捏不准你就打开recommend按照DRC上面的要求做，如果有自己的考量就关掉按自己的想法来。