版图理解

我说自己菜

小弟一直有个问题，以台积工艺为例，就是对于版图的OD和PP(或NP)而言，在实际制造时，是不是只有OD与PP(或NP)交叠的地方才会进行P+(或N+)注入，希望有大神能够解答，感谢！

fengrlove

poly电阻区域也是啊

我说自己菜

fengrlove 发表于 2024-11-25 13:46
poly电阻区域也是啊

首先谢谢您的答复。我大概明白您的意思，就是对于poly电阻，制造时只对PP(或NP)和PO重叠的区域作注入对吧。

我说自己菜

进一步的话，如果我在空白的地方只画PP(或NP)，那么在实际制造时，这部分区域是不是不会进行注入？

GoingtoStudy

BV1dL411n7c2，给你一个BV号，你可以看看整个注入是如何进行的视频一里面应该就有完整过程

tea_whz

应该是只有OD与PP/NP交叠的地方才会形成有源区，注入是只要有PP/NP就会有注入了

David.Z

我说自己菜 发表于 2024-11-25 13:58
进一步的话，如果我在空白的地方只画PP(或NP)，那么在实际制造时，这部分区域是不是不会进行注入？ ...

应该是，OD是挖洞，NP和PP是注入的地方，如果用dummy OD那就是只挖槽不注入。你说的只话PP或NP估计代工厂不会给过。

yanpflove

1. 一个注入工序，会放置一批数十片晶圆一起进行。
2. 注入会对一整个晶圆同时进行。
3. 工艺制造过程中，会有数个物体阻挡离子注入到半导体表面：
（1）会通过N+/P+掩模版，光刻显影 形成 光刻胶阻挡层，被光刻胶遮挡的晶圆表面，无法接收到注入离子。
（2）离子注入工序之前，已经生成了场氧化层，该氧化层很厚，可以阻挡离子进入下方的半导体。
（3）离子注入工序之前，已经制备完成了多晶硅，多晶硅也可以阻挡离子进入下方的半导体。
4. 综上，只有和有源区交叠的注入区，半导体才能获得注入的离子；只有与多晶硅交叠的注入区，多晶硅才能获得注入的离子。