TSMC 28nm工艺供电电压范围问题

怀魂安丶 · 发表于 2024-11-23 20:33:22

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TSMC 28nm工艺库的普通模拟管的标准供电电压是0.9V，然而有一些文献当中使用的是1V的供电电压，请问这个供电电压最高能到多少？或者说一个普通MOS管在不击穿的前提下能给到多高的直流电压？求指点~

andyfan · 发表于 2024-11-24 00:51:49

设计规则里面允许的最高是1.05V，但如果牺牲使用寿命，可以更高；这个一般可以找T要一个可靠性计算的表格，或者做ageing仿真得出。

怀魂安丶 · 发表于 2024-11-28 20:11:20

andyfan 发表于 2024-11-24 00:51
设计规则里面允许的最高是1.05V，但如果牺牲使用寿命，可以更高；这个一般可以找T要一个可靠性计算的表格， ...

感谢您的回复！您说设计规则里面允许最高1.05V，但是我查看了design rule只找到了标准供电电压，您可以提供下更详细的信息吗？

memcad · 发表于 2024-11-28 22:50:22

如果短时间DVS可以1.4*0.9. 如果长时间，做老化吧，TDDB 1v OK的，只要你不是125C 跑1年。

nanke · 发表于 2024-11-29 10:28:04

看寿命要求。如果牺牲寿命，1.2倍是可以的。gate先击穿。

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