问下怎样仿真mos管的电子迁移率和栅氧电容？工艺手册没找到，想自己仿真一下，谢谢

WL8906 · 发表于 2024-10-23 18:22:34

问下怎样仿真mos管的电子迁移率和栅氧电容？就是unCox，工艺手册没找到，想自己仿真一下，谢谢

吃花椒的喵酱 · 发表于 2024-10-23 18:22:35

houlang · 发表于 2024-10-23 19:42:42

可以让器件工作在饱和区，然后根据饱和电流公式大致算出来，L值选取最小沟长的4倍会好一些。

duoduo121 · 发表于 2024-10-23 19:43:12

仿真模型里面有，静态工作点里面也能显示uncox的乘积

fayekoko · 发表于 2024-10-24 11:28:51

仿真这个没什么意义 uncox level 1是常数后面模型复杂的很 un垂直电场横向电场的影响等等

semico_ljj · 发表于 2024-10-24 13:44:18

这些用经验参数即可，实际值还是要靠仿真

WL8906 · 发表于 2024-10-24 16:06:22

semico_ljj 发表于 2024-10-24 13:44
这些用经验参数即可，实际值还是要靠仿真

经验参数在哪儿看呀工艺手册没找到

神仙鱼 · 发表于 2024-10-26 14:58:46

最好不要这样定量设计，长沟道推导出来的公式只适合定性分析，最好用gmid或者EVK的方式做设计

WL8906 · 发表于 2024-10-27 17:09:09

神仙鱼发表于 2024-10-26 14:58
最好不要这样定量设计，长沟道推导出来的公式只适合定性分析，最好用gmid或者EVK的方式做设计 ...

好嘞好嘞谢谢您后来知道这种不准确已经学习使用gmid了，谢谢您

liuxinyua · 发表于 2024-10-28 08:57:07

神仙鱼发表于 2024-10-26 14:58
最好不要这样定量设计，长沟道推导出来的公式只适合定性分析，最好用gmid或者EVK的方式做设计 ...

请问EVK是什么方法呢?具体名字是什么？

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