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[求助] DSM从matlab到实际电路只有四个开关用理想和simulink一样,但用TG门就不行

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发表于 前天 18:22 | 显示全部楼层 |阅读模式
200资产
微信截图_20241014180316.png
这四个开关只要用理想开关跑出来第二级积分器的输出摆幅就和simulink一样在正负0.1之间,但是要是用了TG门左边两个或者右边两个,任意两个用TG门性能就会变差,图里是只用NMOS,实际互补的,自举的都仿过了,都会出问题,我去看了下开关的非理想效应,
始终馈通,我只用一个小N管(电阻在600mV时候小于200欧姆,用四个理想开关电阻给200欧姆仿出来和simulink一致),仿真出来不行
电荷注入:互补CMOS仿真出来不行
衬偏:直接把这四个管子的衬底和源短接也不行(但我不确定这样能不能消衬偏)

微信截图_20241009223844.png
只有四个理想开关才能像下图,电路里第二级积分器输出就像下面这样很小的范围,理想开关导通电阻给到200欧的时候还是可以像图里这样工作的
微信截图_20241014180253.png


感谢大家看到这里,希望路过大神不吝赐教!非常感谢

发表于 前天 19:59 | 显示全部楼层
mos特性就那些,一个个查都能找到,不至于。  两相非交叠时钟有用吗,有避免非线性的快速注入和时钟馈通吗?mos管开启的阻值以及阻值的非线性,关闭的漏电有影响吗?有正确的复位吗?
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