DSM从matlab到实际电路只有四个开关用理想和simulink一样，但用TG门就不行

fantasy19853 · 发表于 2024-10-14 18:22:32

这四个开关只要用理想开关跑出来第二级积分器的输出摆幅就和simulink一样在正负0.1之间，但是要是用了TG门左边两个或者右边两个，任意两个用TG门性能就会变差，图里是只用NMOS，实际互补的，自举的都仿过了，都会出问题，我去看了下开关的非理想效应，
始终馈通，我只用一个小N管（电阻在600mV时候小于200欧姆，用四个理想开关电阻给200欧姆仿出来和simulink一致），仿真出来不行
电荷注入：互补CMOS仿真出来不行
衬偏：直接把这四个管子的衬底和源短接也不行(但我不确定这样能不能消衬偏)

微信截图_20241009223844.png

只有四个理想开关才能像下图，电路里第二级积分器输出就像下面这样很小的范围，理想开关导通电阻给到200欧的时候还是可以像图里这样工作的
微信截图_20241014180253.png

感谢大家看到这里，希望路过大神不吝赐教！非常感谢

nanke · 发表于 2024-10-14 18:22:33

mos特性就那些，一个个查都能找到，不至于。两相非交叠时钟有用吗，有避免非线性的快速注入和时钟馈通吗？mos管开启的阻值以及阻值的非线性，关闭的漏电有影响吗？有正确的复位吗？

fantasy19853 · 发表于 2024-10-18 16:43:10

nanke 发表于 2024-10-14 19:59
mos特性就那些，一个个查都能找到，不至于。两相非交叠时钟有用吗，有避免非线性的快速注入和时钟馈通吗 ...

谢谢您的回答，主要是时序有点问题，导致TG门的非理想效应被放大了，非常感谢！

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