MOS可变电容栅极为振荡大信号，那有效C-V曲线如何仿真？（varactor、MOS CAP）

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mos可变电容类型及曲线

在VCO/晶振的设计中，可变电容用来调整频率，现有一个问题，网络上教的都是可变电容一端接固定电容，一端接控制电压Vctrl，然后仿真电容值随Vctrl的变化（如上图4.2图4.3）
可是在VCO/晶振电路中，可变电容的栅端需要接在振荡电路中，是一个振荡的大信号，这种情况下，控制端Vctrl与电容C的曲线应该怎么样去仿真？（如下图）

MOS可变电容的栅端是振荡大信号

我看了唐长文老师的论文，以及好多外文文献，明白了大概思路：在振荡器这样的大信号电路中，可变电容的小信号模型会产生很大的误差，我们必须采用可变电容的大信号分析方法来进行瞬态仿真。也就是计算栅端处于大信号振荡周期内，MOS电容的平均有效电容值。
文献中有的是忽略了这个，有的是忽略了那个，总归来说都是从数学一大堆公式去使得等效电容值更加精准。也没有说怎么仿真，本人数学能力比较拉苦啊，看到这些数学公式就头晕。
请问如何在cadence中仿真仿真出来C-V曲线或者V-f呢？希望各位做VCO以及OSC的朋友们不吝赐教，这个问题真的困扰了好久。

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唐长文老师的论文关于可变电容章节如下

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如zwtang老哥点评的  “如果电容C是可变的话，dC/dV量是需要考虑的。Hegazi的JSSC论文中没有考虑，是存在一定问题的。”  这句话我是理解的，但是如何仿真呢？

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老哥的解释我还是有点模棱两可，我想问的是
“可变电容的栅端需要接在振荡电路中，是一个振荡的大信号，这种情况下，控制端Vctrl与电容C的曲线应该怎么样去仿真？”。

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原来zwtang老哥是老师，学生一时半会儿没反应过来，haha，
看了老师您的毕业论文，式4.12是Hegazi等人得出来的较为粗略的电容表达式，然后接下来您针对这个式子没考虑到的二次谐波，从时间域的角度重新推得了较详细的电容表达式。（虽然这一部分的数学推导我还没看懂），我想请问的是，图4.10是通过所推导出来的数学表达式绘制出来的吗，并不是在cadence里直接能仿真出来的吗？
或许老师您当时写论文的年代cadence工具可能还不支持直接仿真，现在有没有仿真方法嘞？