关于使用BOVC方式，用铜bonding，把PAD打裂开

icliupengzhi123

工艺是0.18的，顶层金属是25k，总共四层metal。面积受限做的BOVC（PAD下面有器件），目前两个项目出现PAD打裂开。一个在PAD里面打满WT，另一个在PAD外面打WT。两个都出现有打裂开情况。打满WT的要好些，概率很小。但WT打外面的，出现打裂的概率比较高5%左右比例。
想问下大家这种为了防止打裂PAD，除了顶层加厚，对于WT打孔有没有比较合适的方式，应对PAD打裂。
下面那种打孔好些呢？

yzx2045

哪家工艺的？一般每家工艺要求都不太一样，按照对应的rule来不应该出问题的。

qijiaji

你的顶层金属已经25k了，一般OSAT都可以做到的。目前根据你提供的信息判断是OSAT打线力度的问题，你让OSAT调整下铜线打线力度，做下DOE。

智慧芯微电子

智慧芯提醒您，由于铜线键合压力比金线更大，所以建议使用Topmetal+Topvia+Topmetal-1的pad结构，并且Topvia需要尽量打满整个pad区域，这样pad的支撑能力更强。更多问题详情可以咨询我们，智慧芯微电子，一家专门的版图外包公司。

icliupengzhi123

yzx2045 发表于 2024-9-29 10:24
哪家工艺的？一般每家工艺要求都不太一样，按照对应的rule来不应该出问题的。
...

华润，之前按照rule，出问题概率很小，后来觉得是不是打孔引起打坏，所以WT就在PAD外面打，现在是出问题更多

icliupengzhi123

智慧芯微电子 发表于 2024-9-29 12:28
智慧芯提醒您，由于铜线键合压力比金线更大，所以建议使用Topmetal+Topvia+Topmetal-1的pad结构，并且Topvi ...

谢谢，我们现在做的基本都是按照您说法画的，也出现问题，不知道是不是bonding时候力度太大了

Chenhw

可以和封装厂调整一下打线应力的力度和增加顶层的厚度，其次顶层和次顶层的之间的VIA要么平均打下PAD出，要么就直接在PAD外。

icliupengzhi123

Chenhw 发表于 2024-9-29 14:06
可以和封装厂调整一下打线应力的力度和增加顶层的厚度，其次顶层和次顶层的之间的VIA要么平均打下PAD出，要 ...

现在是平均打问题，小概率，全部打外面，比平均打，概率还大

Chenhw

icliupengzhi123 发表于 2024-9-29 17:39
现在是平均打问题，小概率，全部打外面，比平均打，概率还大

按你这么多大概率是厚度不够，要么调整厚度要么调整打线力度。

存在感

1. 打线机台是可以调整力度范围的。即要保证打牢靠又要保证不打裂，这个范围一般不宽。
2.需要看线材金线一般应力较小，合金铜线应力较大。
3.需要看线径越粗应力越大，包括向下压力 和向上拉力
4.顶层metal 的厚度
5.Top via 及下层金属的结构

综上
先确认好条件一步步推导 就可以得到可靠的方案。
25K 厚 铜线  给机台的范围较小，少批量可能不会出问题，大批量就容易出问题（设计机台产品切换 和机台时间老化精度控制等）。
建议调整底下层次结构形式，或更好线材或线径。
如需要改结构先确定pad 区域是否有top via ,以及via 的形式 （阵列排布 及间距），后再确定是否调整底下metal的结构形式。
4metal 可选方案有top-1 可以做成同电位的，同时metal 加slot处理 (slot 有不同排布形状可选)。