关于使用BOVC方式，用铜bonding，把PAD打裂开

icliupengzhi123

工艺是0.18的，顶层金属是25k，总共四层metal。面积受限做的BOVC（PAD下面有器件），目前两个项目出现PAD打裂开。一个在PAD里面打满WT，另一个在PAD外面打WT。两个都出现有打裂开情况。打满WT的要好些，概率很小。但WT打外面的，出现打裂的概率比较高5%左右比例。
想问下大家这种为了防止打裂PAD，除了顶层加厚，对于WT打孔有没有比较合适的方式，应对PAD打裂。
下面那种打孔好些呢？

yzx2045

哪家工艺的？一般每家工艺要求都不太一样，按照对应的rule来不应该出问题的。

qijiaji

你的顶层金属已经25k了，一般OSAT都可以做到的。目前根据你提供的信息判断是OSAT打线力度的问题，你让OSAT调整下铜线打线力度，做下DOE。

智慧芯微电子

智慧芯提醒您，由于铜线键合压力比金线更大，所以建议使用Topmetal+Topvia+Topmetal-1的pad结构，并且Topvia需要尽量打满整个pad区域，这样pad的支撑能力更强。更多问题详情可以咨询我们，智慧芯微电子，一家专门的版图外包公司。

icliupengzhi123

yzx2045 发表于 2024-9-29 10:24
哪家工艺的？一般每家工艺要求都不太一样，按照对应的rule来不应该出问题的。
...

华润，之前按照rule，出问题概率很小，后来觉得是不是打孔引起打坏，所以WT就在PAD外面打，现在是出问题更多

icliupengzhi123

智慧芯微电子 发表于 2024-9-29 12:28
智慧芯提醒您，由于铜线键合压力比金线更大，所以建议使用Topmetal+Topvia+Topmetal-1的pad结构，并且Topvi ...

谢谢，我们现在做的基本都是按照您说法画的，也出现问题，不知道是不是bonding时候力度太大了

Chenhw

可以和封装厂调整一下打线应力的力度和增加顶层的厚度，其次顶层和次顶层的之间的VIA要么平均打下PAD出，要么就直接在PAD外。