电容Q值仿真

hglsy · 发表于 2024-9-12 10:56:19

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

校招面试、实际工作、TO后测试时都会涉及到电容Q值，但是很久都不能理解如何计算，以及无法确定自己仿真的正确性。

疑问：电容Q值的仿真是否有明确的tb测试模版和方法呢？想要一份明确的步骤
我的理解：LC VCO中，有开关电容阵列和变容管阵列，开关电容阵列仿随value的变化，Q值的变化；变容管阵列仿随控制电压的变化，Q值的变化。
做法：用port并联在电容阵列两端，然后用sp仿真，输出z11的虚部除以实部，加绝对值即得到Q值的变化曲线。
我目前的仿真结果是，两者都是变化增大的
疑问是：1、对于开关电容阵列来说，随着并联的电容越多，电容值C增加，Q值不应该减小吗？2、对于变容管阵列来说，随着控制电压的增大，电容值C增加，Q值也应该减小
对这个一直有点懵，希望有大佬帮忙看看

hglsy · 发表于 2024-9-12 17:31:15

自己用管子和已有的结构搭了一下，结论是这样：
1、对于开关电容阵列来说，随着并联的电容越多，电容值C增加，Q值减小
2、对于变容管阵列来说，随着控制电压的增大，电容值C增加，Q值减小

具体方法：在阵列两端并联port，用sp仿真，输出Q值为z11的虚部/实部的绝对值，曲线光滑
（不知理解是否到位，也欢迎大家讨论

）

hglsy · 发表于 2024-9-13 10:32:47

想请教下大家，关于LCVCO中仿真变容管阵列的Q值中，tb中的port的DC voltage应该设置多少，是1/2Vdd吗？这里并不理解DC voltage的作用，help文档给出的解释是整个仿真的DC level

[求助] 电容Q值仿真

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2