多组Clamp设计问题

userszhang

      

      如图所示，左边为IO处的ESD防护电路；右边为Power Clamp，尺寸较大；由于IO ESD防护电路距离Power Clamp较远，因此我在电源地轨的中间地方再插一个GGNMOS用来缓解电源地轨走线阻抗过大的问题，这个GGNMOS的尺寸较小。
       问题1：中间插入一个较小尺寸的GGNMOS（尺寸比IO处的GGNMOS尺寸稍大一些，大概有400um）能否起到预期的作用？


       问题2：请问加在中间GGNMOS两端的电压，即A与B点之间压差是否需要小于M3的Vt2呢？
       问题3：若问题2结果时需要考虑，那么我计算A与B连点之间压降时，根据VDD-->R2-->A和VDD-->Clamp-->R4-->B这两条路径计算压差 是否可行？
      

userszhang

不好意思，图没传上去