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[求助] 台积电TSMC的BCD工艺中DMOS的耐压问题

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发表于 2024-9-4 16:29:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

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各位前辈,请问TSMC(台积电)BCD工艺的高压管中,PMOS的Vgs能不能大于0呢?或者说对于PMOS的Vgs的大小限制是指|Vgs|<5V,还是说-5<Vgs<0V?我拿到的文档中只写了后者。请各位前辈指教



                               
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发表于 2024-9-5 09:59:00 | 显示全部楼层
你这个表格里的不是nmos吗?和你的文字描述不符啊。。。。。 一般的pmos vgs都能大于0,不然怎么关断pmos,这是什么问题.......
 楼主| 发表于 2024-9-5 10:51:59 | 显示全部楼层


nanke 发表于 2024-9-5 09:59
你这个表格里的不是nmos吗?和你的文字描述不符啊。。。。。 一般的pmos vgs都能大于0,不然怎么关断pmos, ...


啊是因为PMOS的表格有水印,不方便露出来哈哈哈。所以我就用这个NMOS的图来侧面佐证,比如说这个NMOS的Vgs在图中并没有<0的情况出现。
因为我也是第一次用BCD工艺也是第一个正式的项目,会比较小心些,我原有的想法是关PMOS在阈值之内关断,但是也要保持Vth<Vgs<0的状态,感谢您的留言

发表于 2024-9-5 11:32:09 | 显示全部楼层
应该是对称的,即|Vgs|<5v,我们公司的工艺文档是这样标记的
 楼主| 发表于 2024-9-5 12:32:19 | 显示全部楼层


tianxiong_14 发表于 2024-9-5 11:32
应该是对称的,即|Vgs|


好的,非常感谢!!!!!
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