在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 806|回复: 2

[原创] Sar adc的non-binary-redundancy对dac建立时间常数的要求

[复制链接]
发表于 2024-9-3 21:42:45 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 analog_ip 于 2024-9-10 13:58 编辑

结构主要参考文章《a-12v-10b-20msamples-nonbinary-successive-approximation-adc-in-0.13um-CMOS》

无冗余位的cdac电容权重为
512  256   128    64   32    16     8    4     2     1

带冗余设计的Radix=1.864,non-binaryredundancy的cdac电容权重为
543.3043 291.4723  156.3692   83.8891  45.0049   24.1442   12.9529   6.9490    3.7280    2.0000   1.0000

对上述两种cdac配置的sar adc进行仿真,得到如下结果,从对比结果看,redundancy减小了dac建立时间的要求


                               
登录/注册后可看大图
发表于 2024-9-4 09:17:05 | 显示全部楼层
如果本身速度很慢,大于cdac 建立到99%的时间  估计看不出来  速度提高 估计能看出来区别  有容错率后 可以节省2-3涛建立时间
 楼主| 发表于 2024-9-10 13:59:17 | 显示全部楼层


chuchuang 发表于 2024-9-4 09:17
如果本身速度很慢,大于cdac 建立到99%的时间  估计看不出来  速度提高 估计能看出来区别  有容错率后 可以 ...


原来的模型有点问题,改过以后对了。
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-5 13:01 , Processed in 0.022963 second(s), 8 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表