LDO问题

WTT926

关于LDO的一些问题：针对一个典型的五管EA+NMOS输出的LDO进行提问
问题一：根据LDO流过最大的负载电流计算可以得出NMOS的设计尺寸；在该设计的尺寸下进行负载突变的仿真，发现NMOS的栅端会被拉到地导致NMOS关断，瞬态响应很差。而增大NMOS的尺寸则其栅极电压变化便较小，瞬态响应也会变好。但是这样与理论计算的NMOS尺寸不是就不一样了嘛，到底是如何考虑的呢？
问题二：我看了许多文章发现负载突变引起过冲电压的公式都是与带宽以及pass管栅端电容以及摆率有关，但是在负载突变时间不同（比如100uA到10mA脉冲突变时间不同）时，其过冲电压也不一样（突变时间越小，过冲电压也就越大），怎么解释呢

Shiroihane

1.可以考虑加CL

Shiroihane

2.带宽能跟得上突变的时间，响应就好；突变时间越短，对应的运放增益不就低了。

Shiroihane

要么增大CL，要么做瞬态增强。