INV的gate如何接？

bubushenghua

如下图

maomao198477

这个 就有点难度了

存在感

1. 普通INV gate，看工艺节点及器件 直接接电源域内电位，如果是低压器件或小节点工艺需要接1 和 0 时需要接电阻 或者tie L/H .
2. 看图片尺寸应为大 mos 前级驱动：
   1）如大mos 只与内部有关，无负压时前级驱动可以按一般情况处理，如尺寸较大加强pickup接触
   2）如大mos 与外部有关（接PAD），需保证围绕完整pickup ring 且与其他器件不共井 并保持对其他类型mos 一定距离（如 Pmos 到Nmos的距离）
  3）如前级有负压产生或见到负压信号，需要做应对负压处理的隔离方案。

yeshaoxiangshen

你这是driver的驱动吧 metal宽一些

bubushenghua

确实。经电路反馈。gate 上的电流大，需要加宽metal。同时需要尽可能加强电源与地，否则影响场的大小，导致前仿与后仿，场差别大。