关于UMC工艺poly有无离子注入的讨论

白香

本人新人，发现T家或者其他工艺中DRC会要求把poly做在N型或者P型的离子注入里，好处是在注入中poly的方块电阻会变小，尤其是外接打孔的部分geng'yao
但在UMC55工艺中发现DRC不会对此有特殊要求，如图可以看出A的poly全部做在N注入中，B的外接打孔处没有N注入，这两组的DRC都可以过。
那么是UMC的工艺制成足够先进，不care这部分的电阻。还是说这里本应该手动添加离子注入，DRC检查有漏洞呢。

AB版图

tigerclever

看看工厂提供MOS的PCELL是怎么画的，我的印象中，UMC的PCELL应该是把poly包在N+/P+的注入区域内的。

白香

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GAOLUZONGDUJYH

白香

tigerclever 发表于 2024-8-13 10:23
看看工厂提供MOS的PCELL是怎么画的，我的印象中，UMC的PCELL应该是把poly包在N+/P+的注入区域内的。 ...

pdk中的器件都有注入，但是如果外接出来连接的话，出来的那部分poly（比如poly打的cont到m1）是需要手动补N+或P+的。

白香

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白香

求大佬驻足解惑