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[求助] 量产芯片长时间跑之后,基准源会不会变化?

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发表于 2024-8-12 16:02:37 | 显示全部楼层 |阅读模式

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如题,如果量产芯片,目前看内部带隙基准源温度特性是OK的,但是几年长时间跑之后,工艺是否会偏差,导致带隙基准有偏差?
发表于 2024-8-12 18:05:06 | 显示全部楼层
EM就是验证这个问题的,运行十年,温度125度
发表于 2024-8-12 18:35:38 | 显示全部楼层
器件Vth会随时间变化的,有的工艺提供aging model评估其影响。
发表于 2024-8-13 09:13:05 | 显示全部楼层
这个肯定是会有偏差的,所以才有可靠性设计和可靠性仿真验证
发表于 2024-8-13 13:52:55 | 显示全部楼层
一般来说要根据芯片应用需求进行对应的DFR设计和验证,在满足sign off标准下才能TO的
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