关于28nm工艺下的尺寸限制

ToDai · 发表于 2024-8-2 18:49:14

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在28nm下，会有尺寸的限制。我在做电流镜时，希望得到更大的L来减小失配，比如我设置L为3u，但是就会有warning，说最大的限制是2u。然后我采用了另一种方法来增加mos管的L，就是拉扎维书上的串联mos管结构，两个串联的mos管相当于一个W/2L尺寸的mos管。等效的L实际是4u了，这也是超过了工艺限制的最大尺寸2u。那么我采用串联的mos管的方法是否违背了28nm工艺的规则？会不会对后续哪个工艺流程有影响？这样的方法在28nm下是否合理？希望大家不吝赐教！！！

nanke · 发表于 2024-8-2 19:21:15

合理的，而且性能比单个L=4u mos好。

lyx1203 · 发表于 2024-8-3 13:41:10

nanke 发表于 2024-8-2 19:21
合理的，而且性能比单个L=4u mos好。

为什么呢？

ToDai · 发表于 2024-8-5 09:18:24

nanke 发表于 2024-8-2 19:21
合理的，而且性能比单个L=4u mos好。

佬我也想问问为什么性能还比单个L=4u的更好呢？还想问问在28nm这种工艺下，为什么尺寸还会有限制？

Eclipse17 · 发表于 2024-8-5 15:41:00

这类似于最小单元化设计，unit cell，小单元级联比大单元好的是在于他的mismatch会好很多，相当于我一次性做一个4u的管子，我可能上下偏差百分之十，但是单元化设计，unit cell，我一个高百分之五，一个小百分之五，相当于总长度的没变，换种思维，类似于两个正态概率密度函数相乘，方差变小。

ToDai · 发表于 2024-8-6 14:29:27

Eclipse17 发表于 2024-8-5 15:41
这类似于最小单元化设计，unit cell，小单元级联比大单元好的是在于他的mismatch会好很多，相当于我一次性 ...

清楚不少了

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