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[求助] 小白求助基础问题,求各位大佬前辈解答

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发表于 2024-7-24 18:49:21 | 显示全部楼层 |阅读模式

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1.MOS管的小信号模型适用于三极管区吗?
2,沟道长度调制效应存在于三级管区吗?ro的公式和饱和区的一样吗?
我看拉扎维课后题求增益的时候在三极管区的增益只是gm的公式变了。
3.拉扎维第三章的一些模型好像并没有考虑偏置电压的问题,如图,这个vin是小信号还是大信号,他分析的时候好像是在大信号情况下画出的图b,现在做第三者的类似的课后题搞得我有点晕,我搞不清楚用小信号模型分析还是直流分析?如果vin是一个恒定值的话,小信号模型不就不成立了吗?
屏幕截图 2024-07-24 184627.png


欢迎各位大佬进行解答,万分感谢!


发表于 2024-7-24 19:18:10 | 显示全部楼层
本帖最后由 fayekoko 于 2024-7-25 14:05 编辑

发表于 2024-7-24 19:21:48 | 显示全部楼层
本帖最后由 fayekoko 于 2024-7-25 14:05 编辑

发表于 2024-7-24 21:36:33 | 显示全部楼层
放大器基础教育阶段,vin基本都是小信号分析,如果vin恒定,在小信号模型里面,恒定的电压就是GND,所以不是恒定值
 楼主| 发表于 2024-7-24 21:43:52 | 显示全部楼层


mybaozhao 发表于 2024-7-24 21:36
放大器基础教育阶段,vin基本都是小信号分析,如果vin恒定,在小信号模型里面,恒定的电压就是GND,所以不 ...


谢谢您,我懂了
发表于 2024-7-25 09:23:44 | 显示全部楼层
本帖最后由 qw357 于 2024-7-25 09:47 编辑

以上图电阻为例,大写字母是直流RD,小写是小信号Ron。vgs小信号,VGS直流偏置电压,Vgs交直流。
器件模型有很多,比如由Berkeley维护的bsim3,bsim4(100nm以下工艺)。https://bsim.berkeley.edu/models/bsim3/。还有Charge Sheet Model (CSM),EKV Model。
mosfet的工作区有的分为线性区、饱和区;或者强反型、中等反省,弱反型。gm/id 很大,mos进入strong inversion。
发表于 2024-7-25 09:36:50 | 显示全部楼层
不适用三极管区,跨导计算公式不一样。同样存在勾到长度调制效应。小信号计算参考一下傅里叶分析,理解一下交流直流叠加的概念
发表于 2024-7-25 09:57:13 | 显示全部楼层


yangleiqiang 发表于 2024-7-25 09:36
不适用三极管区,跨导计算公式不一样。同样存在勾到长度调制效应。小信号计算参考一下傅里叶分析,理解一下 ...


线性区沟道长度怎么变化呢  
发表于 2024-7-25 10:09:14 | 显示全部楼层


fayekoko 发表于 2024-7-25 09:57
线性区沟道长度怎么变化呢


勾到长度调制的那个模型,没有区分是三极管区还是饱和区,后面乘以了一个vds的系数,所以我觉得三极管区也有,但是三极管区的vds值很小,所以不明显,几乎看不出来
发表于 2024-7-25 10:24:16 | 显示全部楼层


yangleiqiang 发表于 2024-7-25 10:09
勾到长度调制的那个模型,没有区分是三极管区还是饱和区,后面乘以了一个vds的系数,所以我觉得三极管区 ...


嗯嗯  耗尽层会有一些展宽  使得沟道慢慢夹断  长度会减小一点很严谨嗷
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